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立命館大発新興、SiC上への成膜成功 大電流・高耐圧など応用期待 （2023/9/20 総合１）
従来、r―GeO2は成膜時に蒸発するため、霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」法でも低結晶領域が混入し、うまくエピタキシャル成長させ...
京大発VBのフロスフィア、成膜でセラミックス部品 製造技術を開発 （2019/1/8 電機・電子部品・情報・通信１）
霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」技術を生かす。... 同社はミストCVD技術により、高性能で生産コストを抑えられる酸化ガリウム製...
次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 （2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信２）
同社の中核技術は京都大学の藤田静雄教授らが開発した「ミストCVD(化学気相成長)」にある。液体原料をミスト状にして基材に成膜する仕組みで、従来のCVDでは難しかった素材も扱えるのが特徴...
