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記事検索結果
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そのため、待機電力を必要としない不揮発性メモリーの需要が年々高まっている。ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズの磁石を情報媒体とした不揮発性メモリー(MRAM)がそ...
さらに不揮発性磁気メモリー向けの磁気トンネル接合を基にしており、膜厚の調整のみで実現しているため、今後の大規模化に向け量産レベルの既存技術が使えるというメリットがある。 ... 古典...
そこで注目されているのが、電源を切っても情報が失われない低待機電力の不揮発性メモリーである。 ... このジレンマは磁気メモリーだけでなく、他の不揮発性メモリーでも共通の課題となって...
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。... 産総研スピントロニク...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
富士通、日立製作所、東芝、NEC、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、次世代の記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)の実用化に必...
技術の独創性や性能、環境特性などを審査し、8回目の開催となる今回は29件の受賞部品を選定した。 ... 《受賞部品・企業一覧》 【超モノづくり部品大賞】 &...
日立製作所や東芝、富士通、NEC、ルネサスエレクトロニクスなど半導体関連企業10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性磁気メモリー(MRAM)...
また、この素材は可視光域での透明性を利用して磁気光学素子にも使える。... 【デバイス応用へ】 導電性や磁性などの物質の性質を決めているのは価電子帯頂上にいる電子である。... スピ...
大日本印刷は従来の外装シールドに比べて面積比で40%、体積比で70%省スペース化した不揮発性磁気メモリー(MRAM)向け「低周波シールド板」を開発した。... MRAM...
富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...
高速で低消費電力の不揮発性磁気メモリー(MRAM)への応用に加え、メモリーと演算機能を一体化した不揮発性集積回路の実用化に道を開く。... 出力変化をスイッチ動作に利用すれば、スピント...
NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。....
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代記憶素子の不揮発性磁気メモリー(MRAM)の寿命を向上する技術を開発した。... MRAM...
NECとNECエレクトロニクスは、システムLSIに組み込む従来比2倍の32メガビット(メガは100万)容量の不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。... 大容量と...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... MRAMは電源を切っても...
