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記事検索結果
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スピントロニクス技術により、単一の磁気抵抗メモリー(MRAM)セルをアレイ状に並べる手法を用い、メモリー素子と演算素子を一つのチップ上に統合したコンピューティングインメモリーとして動か...
電源を切ってもデータを保持できるメモリー(不揮発性メモリー)は、スマートフォンやUSBメモリーなどの身近な電子機器に広く利用されているデバイスである。しかし、従来の不揮発性メモリーには...
バックアップメモリー用途だけでなく、高速性が要求されるメーンメモリーとしての採用を狙う。2027年度に製品化し、揮発性メモリー(SRAM)や磁気抵抗メモリー(MRAM)...
電顕は日本のお家芸と言われ、磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発や品質管理に必須の技術だ。... MRAMは磁性層を絶縁層を挟みながら積層し、磁性層の磁場の向きが平行か反平行かで電気抵抗...
次世代磁気抵抗メモリーの物質設計の加速が見込める。 ... スピン軌道トルク(SOT)方式の低消費電力の磁気抵抗メモリーの高温での性能改善に寄与し、IoT(モ...
東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...
産業技術総合研究所の日比野有岐研究員、谷口知大研究チーム長は、低消費電力で高速の書き込みが可能な次世代の不揮発性メモリーである「磁気抵抗メモリー(MRAM)」向けの材料として、タングス...
同大の遠藤哲郎教授は東芝でNAND型フラッシュメモリーの開発と事業化に関わり、大学ではこれを3次元(3D)に積んで大容量化した。 ... スピン半導体を使い、これまで...
磁気抵抗メモリー(MRAM)開発のスタートアップ、パワースピン(仙台市青葉区、福田悦生・遠藤哲郎共同代表取締役)は2025年をめどに米国や台湾など海...
東北大学の水上成美教授と一ノ瀬智浩研究員(現産業技術総合研究所研究員)らは大きな磁気抵抗を示すコバルト・マンガン鉄合金を発見した。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)や...
物質・材料研究機構(NIMS)のトーマス・シャイケNIMS特別研究員と介川裕章グループリーダーらは、631%の磁気抵抗変化比率を持つトンネル磁気抵抗(TMR&...
低消費電力の次世代メモリーなどにつながる。 ... こうしたスピン流と電流の相互変換現象を利用すると、磁化反転を高効率化し次世代磁気抵抗メモリーなどにつながると期待される。
次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)に用いる際に素子への書き込みを歪みでアシストできる可能性がある。高速高集積低消費電力のメモリーにつながる。 マンガン・スズを引っ張っ...
反強磁性体は素子から磁場が漏れず高密度に集積できるため、高速高集積低消費電力の次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)につながる。 ... 磁極の向きが...
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授とNHK放送技術研究所の宮本泰敬主任研究員らは、低電流密度で高速書き込みが可能な磁気抵抗メモリー(MRAM)の候補材料を開発した。... 高速書き込...
実際に酸化鉄のヘマタイトの原子磁場を撮影し、温度によって転移して磁気パターンが切り替わる様子を捉えられた。 ... 電子顕微鏡は2―3ケタほど分解能が高く、原子レベルの磁気パターンが...
高速動作が必要なキャッシュメモリーへの利用が開ける。半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー...
待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員、野崎隆行研究チーム長、湯浅新治研究センター長らは磁気抵抗メモリー(MRAM)の磁気安定性を改善...
