「耐熱のあるタンタルは銅と酸化シリコンのバリアーに不可欠で、半導体ターゲットに重要な金属。... 「自社では製錬過程で鉱石が発する酸化反応熱を活用し、化石燃料の使用量を最小限に抑制する『グリーンハイブ...

紫外線は物質中で吸収されやすく、従来のシリコンセンサーでは検出が難しかった。UVCAMに搭載したCMOSセンサーは表面の二酸化シリコンを削り、代わりに窒化シリコンと二酸化シリコンを交互に重ねることで、...

大容量高速通信、光導波路で安定 セーレン子会社のセーレンKST(福井市)は、シリコンウエハー上に酸化シリコンを厚膜形成するオンリーワン技術を武器に、光通信用途で成長を...

【性能の限界突破】 シリコンに代表される半導体材料は、トランジスタやメモリー、センサーなどの素子に加工され、パソコンやスマートフォンなどのデバイスに欠かせない材料だ。... ここに二...

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科の石河泰明准教授らの研究グループは、IGZO(酸化物半導体)を用いた薄膜トランジスタの高性能化に成功した。酸化シリコン絶縁膜の代わりにイオン...

レニアスのスーパーハードコート技術は、ポリカーボネートの表面にハードコート層を塗布して紫外線を当てることで表面改質が起こり、酸化シリコンの膜ができる。

物質・材料研究機構は、新しい材料で構成した次世代ディスプレー向けの酸化膜半導体を開発した。... 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の相川慎也研究員、塚越一仁主任研究者、生田目俊秀統括マネジャーらは、...

エッチングに用いる従来のフルオロカーボンガスに水素を加えることで、窒化シリコン膜やポリシリコン膜をほぼ残し、基板表面の酸化シリコン膜を重点的に削る。... LSI基板は通常、窒化シリコン膜やポリシリコ...

産総研の大谷実ナノシステム研究部門グループ長らは、グラフェンと絶縁体の酸化シリコン基板の相互作用を詳細に調べ、特定の電子構造を持つ酸化シリコン上にグラフェンが非常に強く吸着されることを発見した。...

【神戸】アステムゴードー(大阪市淀川区、中田定宏社長、050・7100・2441)は、ナチュラテクノロジー(兵庫県尼崎市、平田豊明社長、06・6421・5712)と共同...

アステムゴードー(大阪市淀川区、中田定宏社長、050・7100・2441)は、酸化シリコンなど反応性スパッタリングによる成膜が100度C以下の低温で、高速かつ100%近い歩留ま...

金表面は透明なインジウムスズ酸化物(ITO)膜で覆われ、周囲を二酸化シリコンの絶縁層で囲んだ。... これら励起された電子が金・シリコンの電気的な壁(ショットキー障壁)...

基板表面に従来の二酸化シリコン(シリカ)に代わってダイヤモンドライクカーボン(DLC)を採用、キャリア(電荷)移動度を改善させた。

ポストシリコン材料として期待されるグラフェンを使った電子部品の実現に役立ちそうだ。 グラフェンのデバイス応用は、絶縁体基板として使う酸化シリコン膜との複合構造のメカニズムや性質を理論的に解明す...

口頭発表のテーマはポリスチレン微粒子の配列状態を制御する「3D構造への位置選択的自己組織化微粒子の配列」、ポリマー材料の流路内部へ酸化シリコンを成膜する「どんな隙間も均一製膜」。

シリコンを120度C以下で酸化させ、電気特性の優れた二酸化シリコン膜を形成できるのが特徴。... 硝酸酸化法では濃度が68%以上の硝酸水溶液にシリコンを浸す。硝酸が分解し、強い酸化力のある解離...

グラフェンはシリコンに代わる超高速デバイス材料として期待が高まっている。... そこで研究チームは下から順にシリコン、二酸化シリコン、1層のグラフェンを置いた基盤の上に、ナノメートル(ナノは1...

半導体の表面にリッジ(うねり)構造を作り、酸化シリコンの薄膜をコーティングした。... この表面に、プラズマ化学気相成長(CVD)法で、厚さ約150ナノメートル(...

メモリーにデータを書き込み・消去する際、窒化シリコン薄膜中の欠陥がどのように振る舞うかを、量子力学に基づく理論計算(第一原理計算)で詳細に明らかにした。 その結果、窒化シリコン...

シリコン半導体の光回路(シリコンフォトニクス)で波長可変光源を作製した例は初めて。... シリコンは石英より熱光学効果が高いため、ヒーターの加熱電力は従来比約10分の1で済む。... ...