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28ナノメートル(ナノは10億分の1)世代までの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の量産も手がけた。
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
高感度の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー「STARVIS」の搭載や、独自の映像・車載技術でチューニングした「ハイクリアチューン」により昼夜を問わず鮮明で高画質な録画を実現する...
実験ではシリコンウエハー表面に酸化膜を形成し、プラズマ加工で酸化膜を削ってダメージ量を評価した。プラズマ加工で酸化膜が薄くなるとキャリア寿命は短くなり、水素雰囲気で熱処理して修復するとキャリア寿命は長...
発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...
従来の映像エンジンと新開発の映像エンジン、さらに新開発のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)センサーを組み合わせた新映像エンジンシステムにより、大量データの高速処理が可能となった。
東京工業大学工学院の岡田健一教授は情報通信研究機構と共同で、サブテラヘルツ帯の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)送受信ICを開発し、毎秒640ギガビット(ギガは10億)...
一方SPG―XVは相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラを同社で初採用。
【京都】ロームは低オン抵抗の車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)10機種を発売した。
元々は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーなど複雑な構造のパッケージを採用するメーカーが多かったが「直近は米国の半導体メーカーでも採用されている」(仮屋CTO&#...
電力線を使わず無線で電力を供給する無線電力伝送の5・7ギガヘルツ帯と、ミリ波帯5G通信の28ギガヘルツ帯という、二つの周波数帯に同時対応するICチップを安価で量産可能なシリコン相補型金属酸化膜半導体&...
シリコン表面の酸化膜は非結晶のため、酸化膜の上で結晶を成長させることは難しい。... シリコン酸化膜上にPLZTと結晶格子の合うシード層を形成し、その上にPLZTの配向結晶を成長させる。
ロイック・ペコンドン・ラクロワ社長は、ABBがグローバルで企業連携により二酸化炭素削減を進めていくための非営利組織による活動「エナジー・エフェシィエンシー・ムーブメント」を紹介。... SiC金属酸化...
最近、すべて相補型金属酸化膜半導体(CMOS)で構成した300ギガヘルツ(ギガは10億分の1)帯向けのテラヘルツ送信機を開発したほか、CMOS製の送受信ICで世界最速と...
10年以上前に開発した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製の3Dイメージセンサーは、180ナノメートル(ナノは10億分の1)世代、90ナノ世代と、それぞれ最適な製造技術...
東京大学の立川冴子大学院生(研究当時、現産業技術総合研究所研究員)、同大生産技術研究所の野村政宏教授らの研究グループは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで「...
すでに相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーや3DNAND型フラッシュメモリーなど一部の半導体デバイスで実用化が進む。
イメージセンサーの上下の積層部に、高速処理回路を配置した独自の部分積層型CMOS(相補型金属酸化膜半導体)センサーと、同社のフラッグシップ(旗艦)モデルと同じ画像処理エ...
