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記事検索結果
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URASHIMAはパターン付きマスクの検査を露光光源と同じEUVで行う同社の検査装置「ACTISシリーズ」に搭載される。 ... 同装置では露光装置に使われる光源を外部調達したが、照...
【横浜】レーザーテックは自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300=...
同装置はパターン付きマスクの検査を露光光源と同じEUVで行う「アクティニック・パターンド・マスク・インスペクション(APMI)」技術を採用した。 ... フォトマスク...
【レーザーテック/アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置 ACTIS「A150」】 最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マ...
パターン付きマスクの検査を露光光源と同じEUVで行う「アクティニック・パターンド・マスク・インスペクション(APMI)」の一つ。EUV露光による半導体量産に取り組むメーカーに売り込む。...
これに対し、開発技術は微細なパターンを形成するEUV露光と、高感度化を行う光全面露光の2回の露光を行い、微細パターンを高感度で形成する。 ... 2回目の光全面露光では、1回目のEU...
一方、先端露光装置はオランダのASMLとニコンの一騎打ち。... ASMLは2社から出資を受けて、露光光源に極紫外線(EUV)を採用した次世代機の開発を急ぐ。... 代わって光源にEU...
特に露光光源に極端紫外線(EUV)光源を使う最新リソグラフィー技術用素材などが注目されている。... これを実現する露光技術がEUVで、現在主流になっているフッ化アルゴン(Ar...
旭化成は最新の露光技術に対応する防塵(ぼうじん)保護膜(ペリクル)の投入に伴い、半導体用ペリクルの生産能力を約2倍に引き上げた。... 新たに市場投入したフッ化アルゴン...
露光工程は半導体微細化の鍵を握る。東京エレクトロンは露光工程に付随する製造装置のトップメーカーで、最新の露光装置に対応した技術・製品の開発を加速する。 ... さらに先の線幅20ナノメートル台...
微細化のカギを握る露光工程でフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光技術を用いる。露光装置の投影レンズとウエハーの間に純水を満たして光の屈折率を高め明るさを表す開口数(...
半導体露光は回路を一段と微細化することを狙い、光源をレーザー光から極端紫外線(EUV)に替える研究開発が進んでいる。 ... このため露光光源の短波長化が進められた。... そ...
露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...
半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... このため、波長が13・5ナノメートルと短いEUVを露光光源...
オランダのASMLは2010年に、光源に極端紫外線(EUV)を採用した半導体露光装置「NXE 3100」を市場投入する計画を明らかにした。... ASMLはEUV光源に米サイマ...
露光光源に波長が193ナノメートルのフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを採用。... 露光を2回実施するダブルパターニングは従来のArF液浸露光装置で製造すると、その分、生産性が...
半導体製造用の露光装置をカメラと並ぶ中核事業に位置付けるニコン。... (安久井建市) ―露光装置の受注は落ち込んでいませんか。 ... 「露光光源にi線やフッ化クリプ...
EUV露光装置は現状では光源出力100ワット程度にとどまるが、光源にレーザー生成プラズマ(LPP)を採用し09年半ばに出力を200―210ワットに引き上げる。... 露光光源に放電生成...
ニコンは20日、液晶用ガラス基板(マザーガラス)に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する露光装置「FX―75S」、「FX―85S」を発売したと発表した。... 新型2機種...
