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記事検索結果
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ハイドライド気相成長法(HVPE)を生かし、低欠陥が特徴であるレーザー向けの2インチウエハーで25年に向けて現状比4、5割増といった大幅な出荷増を想定。
この上にハイドライド気相成長(HVPE)法で、厚さ約1ミリメートルの窒化ガリウム厚膜を成長させることができた。
パワー半導体向け量産 住友化学は5年後をめどに気相成長(HVPE)法による窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の売上高を現在の3倍強の...
従来の成膜技術に比べ安価な原料が使用可能で、成膜速度が非常に速いため90%程度コストを低減できると期待されているのがハイドライド気相成長法(HVPE)である。... 【基板再利...
安価な材料で高速に成膜できる「ハイドライド気相成長(HVPE)法」を利用し、太陽電池の高効率化や薄膜化に必要なアルミニウム系材料の成膜装置を作製。... 今後、現在の3倍となる6インチ...
GaN結晶基板の製造には、ハイドライド気相成長法(HVPE法)が多く用いられている。ただHVPE法は結晶の反りなどで厚みを確保するのが難しく、炉の清掃などのコストがかかるという課題があ...
トクヤマは独自のハイドライド気相成長(HVPE)法を用いて、単結晶窒化アルミニウム基板やこれを応用した深紫外LEDの開発を進めてきた。... トクヤマは今後、HVPE法による単結晶窒化...
▽ヒルタ工業(岡山県笠岡市)、先端力学シミュレーション研究所(埼玉県和光市)=溶接部応力制御技術開発による自動車用サスペンション部品の軽量化▽サンエス(...
独自のハイドライド気相成長(HVPE)法を用いて100マイクロ―150マイクロメートル(マイクロは100万分の1)の厚さの窒化アルミニウム(AIN)の単...