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有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法などでナノワイヤを結晶成長させ、異種材料を均一に並べる集積技術に強みを持つ。

有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法により、窒化アルミの基板上にpn接合ダイオードを作製。

東京農工大学の熊谷義直教授らは大陽日酸と共同で、次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長(MOVP...

その後、有機金属成長法(MOVPE)を用いてAlNを再成長させ、その上に窒化物系半導体(AlGaN=窒化アルミニウムガリウム)を結晶成長させると高品質なAlGa...

苦労したのは真空関連で、試行錯誤を重ね先輩と共同でMOVPE装置を組み立てた。... その後、JSTの支援で購入した日本真空技術(現アルバック)のMOVPE装置を活用してP型に挑んだが...

従来、白色LEDメーカーは有機金属気相成長法(MOVPE)装置で長時間かけてn型GaNバッファー層を成長させていた。これが不要となり、MOVPE装置で活性層成長とp型GaN成長だけで済...

同グループはシリコン基板上に有機金属気相成長(MOVPE)法でCdTe単結晶層を形成した放射線検出器を1センチメートル四方あたり64個配列して画像検出器を開発した。

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