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トリートメントに配合するのにふさわしい染料は見つかったが、環境や経時変化で、溶けていたはずの染料が結晶となって出てくるという問題が残った。

触媒のアルミナ基材の結晶形態の変化と、触媒の表面に発生した結合反応を阻害する物質が性能低下を引き起こした。

アルミナの結晶間にイットリウム原子がのりのように入り込み、材料を強化することを原子レベルで解明したという。

加熱した反応管に原料のアセチレンガスを供給、酸化アルミニウムの単結晶基板であるサファイア基板にグラフェンを気相成長法で形成する。... 04年にイギリスの研究グループが、粘着性のテープで単結晶グラファ...

TAFFIは素材の成分を改良し、結晶粒径を5マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と従来の3分の1に微細化した。... 同IIは結晶粒径をナノレベルに微細化し、圧造加工で製造する...

今夏をめどに50ミリメートル角のインジウムガリヒ素の単結晶をつくり、2年後をめどに実用化を目指す。 JAXAは国際宇宙ステーション(ISS)の日本実験棟「きぼう」で微...

また多結晶シリコン型の太陽電池セルにできる結晶粒界の境目をひび割れとして認識しない機能も付加した。

【アリューズ】 アリューズ(埼玉県和光市、堀川直圭社長、048・450・1530)は、最新のコンピューター数値制御(CNC)超音波ロータリー加工法を駆使し、ファ...

従来の結晶成長を用いた手法ではIII―V族化合物半導体のシリコン基板上への集積は困難だった。

電子線ホログラフィーと透過電子顕微鏡を組み合わせた解析手法で、結晶欠陥を無くした低消費電力のLSI開発に生かす。... 実際のデバイス中で2ナノ―3ナノメートルの結晶欠陥を観察した。... 従来、内部...

昇華法は原料となるSiC粉末に高熱を加えて気化させ、それを種結晶に再結晶化させて単結晶のインゴット(塊)を製造する。これに対し、溶液法は高温で溶けた金属の中から種結晶を少しずつ引き上げ...

砥粒加工学会は、7月22日13時から17時35分まで関西大学100周年記念会館(大阪府吹田市)でオープンセミナー「結晶系太陽電池の最前線」を開く。京セラの山谷宗義氏が「結晶系シリコン太...

単結晶の丸インゴットを156ミリメートル角、125ミリメートル角に設定して切断。

バンドギャップとは結晶中で電子の取りうる二つのエネルギー領域間のエネルギー差。

最も単純な結晶構造を持つ鉄、セレン、テルル系物質を採用。

【欠陥減少に尽力】 GaN基板は結晶材料のサファイアの上にGaNを成長させてつくる。「サファイアとGaNは結晶の間隔が違うため、うまくつながらない」(同)課題があった。... ...

結晶、薄膜型それぞれで主要5特許庁(日米欧中韓)における出願シェアは7割を超え、「今後も引き続き世界をリードしていくことが期待される」(特許庁企画調査課)。

材料別では結晶系が99万5989キロワット(同20・6%増)。うちSi単結晶が36万3065キロワット(同17・1%増)、Si多結晶は63万2924キロ...

小型セルを組み合わせられる結晶型とは異なり、薄膜型は大型ガラス基板で製造する。... 先行する結晶型では、三洋電機がセルで23・0%の効率を達成するなど、モジュール段階で20%の達成も...

住友金属工業は溶液成長法による炭化ケイ素の単結晶(直径2インチ、写真)で厚さ12ミリメートル、最大成長速度で毎時1ミリメートルを達成した。シリコンに炭素やチタンが溶解した高温の溶液から...

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