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記事検索結果
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大手パワー半導体メーカーは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代デバイスへ経営資源をシフトしている。
後工程の増強、ドイツでのSiC基板増産も推進。... 写真は20年12月に撮影したものを使用 【記者の目/シェア3割へ対応着々】 ロームはEVや産業機器な...
日立パワーデバイス(東京都千代田区、奈良孝社長、03・4564・4415)は26日、抵抗を従来比40%低減した炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体「TED―MO...
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体の開発向けに、最大ピーク電流2キロアンペアで測定する半導体カーブトレーサー「CS―8000シリ...
【京都】ロームは7日、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの生産増強を目的に建設していた筑後工場(福岡県筑後市)の新棟が完成したと発表した。... 床面積などの詳細は明ら...
昭和電工のパワー半導体材料のシリコンカーバイド(SiC)エピタキシャルウエハーがデンソー製の燃料電池車向け次期型昇圧用パワーモジュールに採用された。... SiCパワー半導体は高電圧特...
低損失で温度変化に強く、電気自動車(EV)などで採用が進む炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの技術開発などに取り組む。... UAESはローム製SiCパワーデバイスを採...
ノリタケカンパニーリミテド 研磨剤スラリーを使用しない半固定砥粒研磨工具「LHAパッド」 SiC、傷つけず高速加工 【環境にも優しく】 「傷が入らず...
岩崎通信機は30日、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に特化し、同社初となる最大入力8チャンネルのオシロスコープ「DS―800...
汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素(SiC)薄膜とGaNの厚膜を形成させる(写真)。高周波性能に優れ、従来の半絶...
シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。
三菱電機はスイッチング損失を従来比で約30%低減したパワー半導体「SiC―MOSFET 1200V―Nシリーズ TO―247―4 パッケージ」6品種のサンプル提供を月内...
既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの脆性材の加工に対応する。
次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で成果を前倒して性能やコスト面で先行できそうだ。
GaN、炭化ケイ素(SiC)、ガリウムヒ素(GaAs)などの化合物半導体を使う5G通信用デバイス、パワーデバイス、マイクロLED向けが好調で、各装置の売上高のうち化合物...
黄色粘着捕虫シート「ラスボスRタイプ」 大協技研工業 【日本力(にっぽんぶらんど)賞】=4件 ◇低燃費タイヤDUNLOP「エナセーブ...
NTTは東京工業大学の小山二三夫教授と共同で、高い熱伝導率を持つ炭化ケイ素(SiC)基板上にインジウムリン系化合物半導体を形成した薄膜構造のレーザー(メンブレンレーザー)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)チップのみを使った産業機器用フルSiCパワー半導体モジュール(写真)9品種を2021年1月から順次発売する。... 新開発のSiCチップを...
