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パナソニックは22日、ミリ波での長距離無線通信を可能とした窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 同トランジスタはシリコン基板上にGaNを成長させて生成。

三菱重工業は22日、同社の常温ウエハー接合装置で、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)、サファイアを、それぞれ室温でシリコンに接合することに成功したと発表した。...

パナソニックは22日、室温でも高感度で周波数1テラヘルツ(テラは1兆)前後の電磁波であるテラヘルツ波を検出できるトランジスタ(写真)を窒化ガリウム(GaN...

一方、白色LED材料は窒化ガリウム(GaN)基板の製造設備の増強や新設を行う。

LED材料に使われるGaN結晶はサファイア基板上で成長する。... 【用語】m面GaN=m面は結晶の面の一つで、極性を持たない面(非極性面)。窒化ガリウム(GaN...

この回路に炭化ケイ素(SiC)製や窒化ガリウム(GaN)製半導体などの採用を検討。

同社は白色LEDではチップの基板となる窒化ガリウム(GaN)や蛍光体、封止材など幅広い製品群を持ち、まさに「総合という強みを生かせる」事業だ。

次世代パワー半導体はGaN(窒化ガリウム)の開発も進めているが、「すみ分けは可能だ」との認識を示した。

三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。... ...

青色発光ダイオードなどに使われ、急速に市場が拡大している半導体材料の窒化ガリウム(GaN)単結晶。... 基板とGaNにも、そのズレができる。... GaNの需要拡大に伴って、低欠陥G...

富士通社内のサーバ向けだ」 ―窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を事業化する計画です。

両社は生産面の協力だけでなく、次世代GaN系結晶成長ウエハーの開発に向けた共同研究も行う方針。 ユビキタスネットワーク時代に向けて、超高速・大容量の無線通信システムの実用にはGaN系電子デバイ...

菰田卓哉パナソニック電工先行技術開発研究所技監の「有機EL照明の特徴と将来像」や、小宮章利東芝ライテック営業本部営業企画担当の「GaN―LED照明の特徴および市場動向」など、全4者が講演する。

GaNパワー半導体のエンジニアリングサンプルを生産、出荷する。... 開発品は6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させるもので、富士通研究所が基礎技術を確立した。... 同社はGaNパワー半導体...

パナソニックは7日、窒化ガリウム(GaN)によるインバーターICを開発したと発表した。... 同社が開発したインバーターICは、シリコン上にGaN層を成長させた基板で製造。... 同社...

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などポストシリコンは数多い。

サファイアは現在、発光ダイオード(LED)や半導体レーザーに使う窒化ガリウム(GaN)基板をつくるためのダミー基板などで用途がある。

また、窒化ガリウム(GaN)を活用したパワー半導体に新規参入し、13年に売上高100億円を目指す。

材料に窒化ガリウム(GaN)を使い、室温で波長531ナノメートル(ナノは10億分の1)のパルス発振に成功、連続発振でも同520ナノメートルを達成した。GaNの結晶面を工...

材料面では発光効率の良いm面―GaN(窒化ガリウム)基板を有しているし、蛍光体のシェアは赤色で90%、緑色で40%。

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