記事検索結果

【欠陥減少に尽力】 GaN基板は結晶材料のサファイアの上にGaNを成長させてつくる。... だが、今度はGaN基板の欠陥が増えてしまうという新たな問題に直面する。欠陥の数はGaN基板...

海外技術/英ケンブリッジ大、GaN照明実用化へ（2009/6/5）

英国ケンブリッジ大学(ケンブリッジ市)のケンブリッジ窒化ガリウム(GaN)センターは、電気料金を大幅に節約するGaN発光ダイオード(LED)による節電ラ...

古河機金、窒化ガリウム基板を年度内に量産（2009/6/2）

古河機械金属は09年度中に窒化ガリウム(GaN)基板の2インチ品を量産する。... GaN基板では品質面で少ない欠陥が求められる。... また、資本・業務提携したパウデック(横...

企業−三菱ケミカルホールディングス(5)新素材への挑戦（2009/3/10）

また現在主流のサファイア基板より、質の良い青色を出せる窒化ガリウム(GaN)基板を使った化合物半導体を開発中。製造方法が難しいGaN結晶だが、液相成長法という独自技術を編み出し、量産プ...

三菱化学、米社から白色LED関連特許の実施権を取得（2009/1/19）

三菱化学は米クリー社(ノースカロライナ州)から白色発光ダイオード(LED)の部材となる窒化ガリウム(GaN)基板の製法・加工特許の独占的実施権を取得した...

サンケン電、窒化ガリウムでパワーデバイス−商品化急ぐ（2009/1/6）

サンケン電気が窒化ガリウム(GaN)を用いたパワーデバイスの開発を推進している。... サンケン電気の特徴はGaNを成長させる基板にシリコンを選択したこと。シリコン基板上にG...

パナソニック、高耐圧と低オン抵抗両立のGaNダイオード開発（2008/12/17）

パナソニックは16日、窒化ガリウム(GaN)を用いて高耐圧と低オン抵抗を両立したダイオードを開発した。... オン抵抗52ミリオーム平方センチメートルで従来のGaNダイオードに比べ約2...

サムコ、GaNウエハー専用ドライエッチング装置を発売（2008/11/21）

【京都】サムコは発光ダイオード(LED)生産用途向けの窒化ガリウム(GaN)ウエハー専用ドライエッチング装置「RIE―330iP」を25日発売する。

企業−古河電工(7)環境軸に研究開発（2008/10/23）

現在進行中の案件には、極微細発泡ポリマーや窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス、高強度銅合金などがある。

際を極める−産総研の新研究戦略(3)省エネルギー技術（2008/9/22）

そのインバーターに使われる半導体材料のシリコンに代わって、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などを使用した省電力型素子の基盤技術開発を進めている。 S...

松下、窒化ガリウムICで信号増幅率22デシベルを達成（2008/6/19）

松下電器産業は18日、周波数10ギガ―30ギガヘルツ(ギガは10億)の準ミリ波帯無線通信用に、窒化ガリウム(GaN)ICで世界最高の信号増幅率22デシベルを達成したと発...

古河機金、次期3カ年中計を策定−設備投資、50%増の180億円に（2008/3/24）

電子事業では08年度中に窒化ガリウム(GaN)基板の量産体制を確立する。

三菱化学、三菱電線から15億円でLED技術を買い取り（2008/2/19）

三菱化学は18日、三菱電線工業とその子会社であるダイヤレッド(東京都千代田区)から、窒化ガリウム(GaN)系LED技術とその関連設備を3月末に約15億円で買い取ると発表...

三菱電線工業、三菱化学に近紫外LED事業を売却（2008/2/19）

売却対象は三菱電線の近紫外LEDと窒化ガリウム(GaN)関連事業に関する知的財産や設備、棚卸し資産など。

富士通、モバイルWiMAX準拠の世界最小級基地局を開発（2008/2/7）

窒化ガリウム(GaN)半導体を使った超高速の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載したアンプと、携帯電話システムで実績のある信号のひずみ補正技術を組み合わせ、電力効...

住友電気工業はウエハー直径4インチ(100ミリメートル)以上の窒化ガリウム(GaN)基板を製造する技術を確立した。... 今回4インチGaN基板の試作に成功した。......

今後、川下への展開では、窒化ガリウム(GaN)系半導体エピ(積層)基板事業を立ち上げる。... 09年度には小山工場でGaN製造装置を導入し、2010年度に量産体制をつ...