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記事検索結果
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新製品は「HVIGBTモジュールXシリーズ=写真」で、同社独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを搭載し、従来製品と比べ電力損失は約20%...
BCDは、アナログ機能を担うバイポーラ(双極性)トランジスタ、デジタル情報を処理する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、電力を制御する二重拡散金属酸化膜半導体(...
半導体デバイスにおけるスピン自由度の活用は、電界効果型スピントランジスタや量子コンピューター、超低消費電力デバイスといった次世代電子デバイス開発のカギになると考えられている。
【用語】BCD=アナログ機能を担うバイポーラ(双極性)トランジスタ、デジタル情報を処理する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、電力を制御する二重拡散金属酸化膜半...
東北大学の寒川誠二教授の研究グループは、シリコンに代わる次世代材料であるゲルマニウムを使った金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの実現に向け、トランジスタの高性能な積層(ゲー...
ダイオード、トランジスタ、発光ダイオード(LED)などのディスクリート部品や電源用、モーター駆動用など約500点を供給する。
産業技術総合研究所は、有機トランジスタの性能分布を光学イメージで一括評価する技術を開発した。電子ペーパーやディスプレーなど膨大な数のトランジスタを組み込む機器の製造工程に導入できる。... 有機トラン...
一方で、グラフェンは半金属性であることから、そのままではトランジスタなどの半導体材料の代替にはならないとされていた。
単層カーボンナノチューブ(CNT)やイオンゲル、シリコーンゴムなどの柔らかい素材だけでトランジスタを構成した。... トランジスタの性能を示すオンオフ比は1万と、従来のフレキシブルトラ...
富士電機は5日、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体モジュールの新製品を開発し、サンプル出荷を順次始めたと発表した。
◇次世代プローブカード対応超高精度レーザ加工システムの開発(レーザージョブ)◇先進的なパターンめっき・転写方式配線基板の製造技術(プラニクス)◇PAD法による赤外線透過...
東京大学の尾嶋正治名誉教授らは、物質・材料研究機構の永村直佳研究員、東大の竹谷純一教授らと共同で、有機電界効果トランジスタ(FET)を動作させながら、その内部の電子状態をナノメートルレ...
20世紀後半からの電子情報技術の進展は目まぐるしいものがあり、2010年時点でみると、LSI(集積回路)はチップ当たりトランジスタ10億個を集積でき、コンピューターでは、日本のスパコン...
富士電機はSiC素子を採用したショットキーバリアーダイオード(SBD)と、既存のSi素子を使った絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせたハイブリッド型...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要が急増しているためで、現行の研究用途向け1機種に加え、...
