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記事検索結果
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今後、5年内に分子トランジスタを開発する。抵抗とダイオードだけの回路でも、一部の演算はできるが、トランジスタが実現するとプログラミングに必要な基本的な演算法がそろう。
半導体のp型領域とn型領域の界面であるpn接合は、トランジスタやLED、太陽電池などの性能を決定づける重要な界面。
住友電気工業は電気自動車(EV)や太陽光発電用パワーコンディショナーなどの電力変換損失の低減に役立つ、SiC(炭化ケイ素)パワートランジスタを開発した。V溝型金属酸化膜...
先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載し、電力損失とノイズを低減したことが特徴。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを1チップ化した「RC―IGBT」を搭載するなどし、チップサイズを小さくしたり、チップ同士の間隔を狭めたりしてパッケージを小型化...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... パワ...
工学部キャンパスのある山形県米沢市を拠点に、産学官で塗布型デバイス、有機エレクトロ・ルミネッセンス(EL)、有機トランジスタ・集積回路などの技術と異分野の技術を融合化した産業創出を狙う...
既存の有機材料を使ったトランジスタに比べて3倍以上の性能(移動度)を持つ。... そのため、トランジスタの配線工程などに必要な200度Cまでの高い耐熱性を満たす。 ....
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
