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記事検索結果
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コスト競争力の高い回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスによるNAND型フラッシュメモリーを搭載した製品群を拡充、量産効果で一段の普及を図る。
【安定収益期待】 一方、価格次第で業績が大きく変動するのがDRAMやNAND型フラッシュなどのメモリー半導体。... 東芝は17枚のチップを積層した大容量64ギガバイトNANDフラッシュをサム...
東芝は2010年4月からNAND型フラッシュメモリーの生産能力を約4割増強する。... 東芝はNANDフラッシュで業界最大の容量64ギガバイト品を開発した。今後はスマートフォンや携帯型音楽プレーヤーに...
東芝は15日、業界最大となる64ギガバイトのNAND型フラッシュメモリー(写真)を開発し、2010年1―3月から量産すると発表した。... 厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術や...
アドバンテストは試験コストを従来比約50%削減できるNAND型フラッシュメモリー向けテスターを開発、約5年ぶりに同市場に進出する。SiCは次世代パワー半導体材料として期待され、NANDフラッシ...
設備投資を抑制するため、NAND型フラッシュメモリーの四日市工場(三重県四日市)で使わなくなった8インチライン向けの製造装置を加賀東芝などに移管しているという。
NAND型フラッシュメモリー価格が上昇、固定費低減効果が加わり、7―9月期に6四半期ぶりに営業黒字を達成した。2010年からNANDフラッシュの増産投資を再開する方針。... 既存設備はアナログICや...
NAND型フラッシュメモリーの需給が引き締まり、大口取引価格は約2割上昇。... NAND、DRAMとも年末にかけて需要ピークアウトが想定されるが「大きな値崩れはない」(アナリスト)と...
日本IBMは2日、x86サーバに内蔵でき、1秒間の入出力処理速度を従来比約25倍に高めた拡張ボード型の半導体ドライブ「ハイ・アイオーピーエス・ソリッド・ステート・ドライブ(PCI―E)...
7―9月期だけで、NAND型フラッシュメモリー事業は100億円以上の黒字を確保、「第3、第4四半期も需要過多の状況が続く」(村岡富美雄東芝副社長)とみる。 ... 電子部品は売...
NAND型フラッシュメモリーでは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)台、DRAMでは40ナノメートル台の生産が本格化する。... NOR型フラッシュメモリーの置き換えを目指し...
東芝は21日、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスによるNAND型フラッシュメモリーを採用したパソコン用のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を10...
東芝と米サンディスクは2010年後半から回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のNAND型フラッシュメモリーを量産する。... 競合のサムスン電子は米テキサス州の工場で30ナ...
NAND型フラッシュメモリーを生産する東芝の四日市工場(三重県四日市市)の稼働率は4―6月で70%だったが、7―9月にフル稼働に戻る見通し。... 「NAND型フラッシュメモリ...
―NAND型フラッシュメモリーの価格動向を教えて下さい。 ... NAND型フラッシュメモリーの価格は採算ラインに乗ってきたという。
