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記事検索結果
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炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。
駆動には、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETを4個使って1チャンネルのHブリッジ回路を作り、一つの機構ごとに1チャンネルのICを搭載しなければならなかった。
従来は有機エレクトロ・ルミネッセンス(EL)照明や有機トランジスタ、有機太陽電池など「有機エレクトロニクス」の研究が主流だった。... 一方、時任卓越研究教授が開発した世界最薄のフィル...
低電圧と高電圧を設定してゲート電荷曲線を測定する新たな測定方法を採用し、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールなど高電圧デバイスを正確に測定可能。
光に応答する有機分子を組み込んだ電界効果トランジスタを超電導物質を使って作った。... この独自構造で新しい光駆動型トランジスタを作製。... 開発したトランジスタは、紫外光を当てて有機薄膜を分極させ...
パナソニックは独インフィニオンテクノロジーズに、独自の方法で信頼性を高めたノーマリオフ型窒化ガリウム(GaN)トランジスタ構造のライセンスを供与する。
トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...
パナソニックのダイオード機能を内蔵し、外付けダイオードを不要とするSiCトランジスタ技術「DioMOS」。三社電機のトランジスタの表裏面電極の両方をハンダ接合してワイヤボンディングをなくし、低背化する...
独自構造の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、高放熱絶縁シートの採用により、同社の従来製品と比べ実装面積は約36%小型化、重量は約42%減らした。
早い段階から抵抗器を使ってもらっており、そこからトランジスタやダイオード、そして大規模集積回路(LSI)へと広がってきた。
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
ラピスでは、もう一つの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎市)でも、パワー半導体である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の生産増強に取り組んでいる。&...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
広島大学HiSIM研究センターは、国際標準に選定されたトランジスタのコンパクトモデル「HiSIM―SOTB(広島大学STARC IGFETモデル―シリコン オン スィン...
高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。
