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記事検索結果
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同社はダイオードとトランジスタの両方にSiCを用いたフルSiCパワー半導体を搭載した鉄道車両用インバーターを世界で初めて開発し、小田急電鉄に納入した。... また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体...
厚さ1・4マイクロメートル(マイクロは100万分の1)のポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂のフィルム上に有機トランジスタの集積回路を配置し、生体と接触する電極部分...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の森貴洋新材料・機能インテグレーショングループ研究員らは、多結晶膜の新しい形成技術を開発し、n型の多結晶ゲルマニウムトランジスタの電流駆動力を従来比10倍...
これにより、LSIの基本素子であるMOSトランジスタの集積化限界を決める要因を明らかにした。... 円筒などの曲線的かつ複雑なモデリングが可能になり、新構造トランジスタに適用しやすい。 ...
早稲田大学理工学術院の川原田洋教授の研究グループは、1600ボルトの世界最高耐圧を持つダイヤモンド製のトランジスタを開発した。... ダイヤモンドの表面にある正電荷を持つ正孔を制御してトランジスタを動...
日本の研究機関による最先端技術への注目度も高く、東京大学は低い消費電力で動く新型のトランジスタを開発。... 産業技術総合研究所はノイズを劇的に抑えた立体型のトランジスタを発表する。 ...
マレーシア統計局がまとめた2014年9月の製造業統計によると、半導体の生産量はIC(集積回路)が前年同月比22.4%減の22億1700万個、トランジスタが同3....
通常のシリコンの代わりに有機半導体を使ってトランジスタを作った場合、有機半導体の表面近傍の数ナノメートル(ナノは10億分の1)の領域に電気が流れるが、そこで分子がどのように並んでいるか...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲ...
IDECは表示器と一体化した小型プログラマブルコントローラー(PLC)「スマートアクシスタッチ」シリーズのトランジスタ出力タイプ(写真)12機種を11月4日に国内外で発...
現在の研究テーマについては、「LEDと同じ結晶材料を使って電力を制御するパワートランジスタを開発できれば、LEDと同等以上の省エネに結びつく」と説明。
こうした一連の成果によって、これまでの半導体では不可能だった高性能の青色LEDをはじめ、短波長のレーザーダイオード(LD)、高周波および低温で作動するトランジスタなどへの応用の道を開い...
NTTは、シリコントランジスタ中に存在する電荷の閉じ込め状態であるトラップ準位を介して、電子を一つずつ正確に運ぶ「単電子転送」を高速化した。... NTT物性科学基礎研究所は、シリコントランジスタ中の...
