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記事検索結果
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【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
富士電機は電力変換回路のスイッチング損失を従来機種に比べて28%低減した大容量インバーターの受注を始めた。高耐圧で低損失を実現するSiC(炭化ケイ素)のパワー半導体を搭載してお...
《ローム》“フルSiC”パワーモジュール−電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減 世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素(SiC)材料を適応したパ...
SiC製はシリコン製に比べてスイッチング損失が低く、高温でも優れた特性を発揮する。実際、同社のSiC製ダイオードはシリコン製に比べて電圧ロスが約35%、スイッチング損失が約45%低い。
インバーター(逆変換装置)の電力損失を低減できるとして、現在主流のシリコン(Si)製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の置き換えを狙う。...
オン時の電力損失である導通損失を抑えられ、省エネルギー化につながる。... オン・オフ切り替え時に発生するスイッチング損失は現行のSiC―SBDと同等だが、導通損失を約1割減らせる。
損失を減らすデジタル制御技術と新回路技術を開発して搭載した。... これで小さい電流を流した時のように損失を減らすことに成功した。 さらにFET内部の出力容量にたまったエネルギーを再...
すべてシリコン(Si)製で構成する同モジュールと比べ体積を半減し、スイッチング損失を85%低減。SiC製ダイオードとSi製絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT&...
スイッチング時間は数十ナノ秒(ナノは10億分の1)と高速で、従来のシリコン製パワー半導体モジュールと比べスイッチング損失を3分の1にできる。
開発した新電源は主回路に炭化ケイ素(SiC)半導体を採用、電力の導通損失やスイッチング損失を減らした。また導通損失を減少できる同期整流回路の採用で、ピーク1000ワットの大容量出力を可...
シリコン製のファストリカバリダイオードと比べ電圧ロスを約35%改善、スイッチング損失を約45%低減した。... SiCを使うパワー半導体はシリコンを用いる従来のパワー半導体に比べスイッ...
従来のシリコントランジスタを使った電源装置と比べて電力損失を3分の1以下に低減したもので、2011年後半に実用化する。... 窒化ガリウムHEMTはシリコントランジスタに比べ10倍に当たる600ボルト...
同ダイオードを搭載した試作パワーモジュールを鉄道車両インバーターに使った場合、従来のシリコン製ダイオードに比べ、電力変換時の損失が約3割減る。... 現在のシリコン製ダイオードはスイッチング損失が大き...
UPSは停電時に負荷への電力供給をバックアップする装置だが、常に系統につなぐため損失を抑え、高効率化する必要があった。... 出力電圧の振幅があって、インバーター用パワー半導体素子のスイッチング損失も...
同じ出力の同社従来品と比べ、入力から出力を引いた損失の割合を26%改善、年間消費電力量を65%削減したことが評価された。 ... 電磁波ノイズの低減のため回路を工夫し、スイッチ...
