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東芝、次世代LSI向けトランジスタ絶縁膜の積層技術開発（2009/6/16）

トランジスタ性能を決める電子移動度が高く、従来の二酸化シリコン膜と等価な電気的膜厚に換算したゲート絶縁膜の膜厚(等価酸化膜厚)を薄くする、両性能を両立した。16ナノメートル世代に求めら...

接続電極の一部に1ナノメートル程度のギャップを設け、真空放電で接続すると高効率のゼーベック素子を構成できることは知られていたが、酸化シリコン絶縁膜をギャップのかわりにすることで、同様な効果があることを...

点欠陥ほぼ消滅−京大がSiC半導体結晶を作製（2009/4/8）

京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭素原子の抜け穴などの点欠陥をほぼ無くした炭化シリコン(SiC)半導体結晶を作製した。SiC結晶を酸化雰囲気での熱処理(熱酸化...

アサヒ電子研究所(大阪市中央区、和倉慎治社長、06・6222・3233)は、日本リニアックス(大阪市北区)、大阪府立産業技術総合研究所と共同で、セラミックス系複合酸化物...

ナノテクの好位置競う(下)イタリアの製品開発（2009/3/2）

同社のマッシモ・ガテッリ・ゼネラルマネージャーは、「金属酸化物の溶液から簡単に、粒径10ナノ―20ナノメートル(ナノは10億分の1)のナノパウダーを製造できる」と話す。素材と...

産総研、ナノギャップ不揮発性メモリーの新構造を開発（2008/12/8）

不純物などを添加する必要がなく、単一金属や合金、シリコンなど使える材料も多い。... 今回酸化シリコン層にエッチングで穴を開け、壁面にナノギャップ構造を作り込むたて型構造を開発した。