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記事検索結果
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半導体材料としてフォトレジスト用ポリマーや窒化ガリウム(GaN)基板などに加え、半導体製造装置の精密洗浄サービスなどを展開する。 ... また、G...
半導体材料については、窒化ガリウム(GaN)基板はレーザー向け2インチウエハーを拡販し25年に現状比4―5割増の出荷を目指す。
一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り...
同ウエハーは、長らく次世代パワー半導体と言われ、普及期に差し掛かっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったウエハーの“次”を担う候補の一つ。
IoT(モノのインターネット)技術を活用した工場のオペレーションシステムを手がける米ロシックスや、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を手がける台湾アンコラ・セミコ...
大阪大学の山内和人教授らが考案した触媒基準エッチング(CARE)法により、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の基板を原子レベルで平坦化する装置...
スマートエナジー研究所(横浜市港北区、中村創一郎社長)は、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体に対応した回路シミュレーターを開発し...
その優れた半導体性能は、パワーデバイスとしての利用が広がる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも凌駕(りょうが)するほどだ。 ...
CFBでは次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を低コストで製造し、半導体デバイス市場への参入を目指す。
約500人の計15万枚の脳画像データを活用し、画像生成AIモデル「敵対的生成ネットワーク(GAN)」を基に脳画像生成AIを開発した。
ルネサスエレクトロニクスは11日、次世代半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体を設計・製造する米トランスフォームを約3億3900万ドル(約4...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)が次世代のパワー半導体の材料として注目されている中、β―Ga2O3はSiCやGaNと比べ、高性能なパワー半導体を製造できる可...
GaN基板 電子機器の効率・小型化に貢献 24年は半導体の窒化ガリウム(GaN)基板の普及に弾みが付きそうだ...
14年は、生成AIに関連するディープラーニング技術である敵対的生成ネットワーク(GAN)が発表された年である。GANはカナダのモントリオール大学の学生イアン・グッドフェロー氏らによって...
GaNと熱膨張係数を一致させた窒化アルミニウムをコア層に用いる基板材料で、基板上にGaNの厚膜形成を可能とする。 Si基板上にGaNを結晶成長させる「GaNオンSi」で生じやすい反り...
大阪公立大学の梁剣波准教授、重川直輝教授らは東北大学などと共同で、ダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム(GaN)トランジスタを作製した。... 研究チームはシリコン基板上にGaN層と...
パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムなどで使える。
GaN製造など4領域で成長 OKIが新事業の創出や拡大を急いでいる。... 次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を低コストで製造するもので、次世代ディスプレ...
