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耐熱性の高いポリアミドイミドという絶縁皮膜に極小の二酸化ケイ素(SiO2)粒子を均一に混ぜたことで、曲げても亀裂しにくい構造にした。

新技術開発財団、市村産業賞本賞に村田製作所を選出（2011/3/14）

新技術開発財団(東京都大田区、03・3775・2021)は「第43回市村賞」として、市村産業賞本賞に村田製作所の「平坦化SiO2膜/Cu電極/基板構造小型弾性表面波...

住友電工、ガラス母材生産を来年度最高に（2010/11/26）

順次、生産量を引き上げて来年には日本と中国の2カ国で母材をフル生産する。... 四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムなどを燃やして純度の高い二酸化ケイ素(SiO2)を棒状のガラス塊に仕上げ...

産総研のR&D(45)薄膜・多層膜標準物質の開発（2010/11/22）

この標準物質は、GaAs基板上にAlAsとGaAsを交互に3層ずつ(計6層)積層したもので、認証値は、各層の膜厚で9・5ナノ―9・6ナノメートル(ナノは10億分の1)、...

研究チームがエレクトロニクス分野で一般的に使われる二酸化ケイ素(SiO2)の基板にグラフェンを固定して実験したところ、結晶の振動が妨げられるため熱伝導度は同600ワットに悪化。それでも...

大阪大学接合科学研究所の近藤勝義教授、宝石企画・販売のデスク・トゥー・ワン(甲府市、佐藤俊男社長、055・224・2100)は共同で、もみ殻から取り出した多孔質シリカ(SiO2...

テクノ学び隊(103)きょうのテーマ−半導体の微細化（2008/3/6）

回路線幅45ナノメートルに至る一世代前は、MOSFETのゲート絶縁膜に二酸化ケイ素(SiO2)を採用していた。だが、同45ナノメートルまで回路の微細化とトランジスタの高集積化が進むと、...

独創研究集団・理研の最前線(59)300mmひずみSOI基板を量産化へ（2008/2/19）

SOI基板はSiO2などの絶縁層の上に100ナノ―数十ナノメートルの薄いSi層を設ける。... ひずみSiはSiの結晶構造をひずませることでそのバンド構造を変え、電子やホールの移動度を約2倍に向上させ...

豊田通商、電子基板向け低誘電性の二酸化ケイ素を開発（2008/2/13）

【名古屋】豊田通商は12日、アドマテックス(愛知県三好町)、太陽化学と共同で、低誘電性の二酸化ケイ素(SiO2)「アドマポーラス」を開発したと発表した。... 空気を内...