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記事検索結果
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充放電の制御には、外部から一定の電圧がかかると、スイッチをオンにするNチャンネル型の金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。
東レは17日、SiC(シリコンカーバイド)トランジスタ向けに感光性耐熱レジストを開発したと発表した。... 今回の開発により、SiCダイオードとSiCトランジスタによる「フルSiC」パ...
岩通計測は中国で、モーター材料を評価する計測器「B―Hアナライザー=写真」と、トランジスタ、ダイオードなど半導体の特性を評価する計測器「半導体カーブトレーサー」を重点的に販売する。
開発したのは、「量子磁束パラメトロン」というトランジスタ回路をベースに、磁束の有無によって、「0」と「1」に切りかえることができるIC。
寒川教授はこれまで、シリコンやゲルマニウムを使った3次元トランジスタやシリコンの量子ドット太陽電池、インジウムガリウムヒ素の量子ドット発光ダイオード(LED)、グラフェントランジスタな...
E5―2600v3は線幅22ナノメートルの製造プロセスを採用し、消費電力を削減すると同時にトランジスタ性能を高めた。
京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授、安藤裕一郎助教らの研究グループは8日、TDK、秋田県産業技術センター(秋田市)と共同でシリコンを用いたスピントランジスタ(MOSFET&...
インテルは22ナノメートルプロセスで初めて3Dトランジスタ(トライゲート・トランジスタ)を製品化し、3次元半導体の量産化で先陣を切った。3Dトランジスタは電流を制御するゲートを立体的に...
だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、電気自動車(EV)や風力発電、鉄道など各種産業分野に応用さ...
試作した新チップはトランジスタ数は54億個あり、100万個のニューロンと2億5600万個のシナプスで構成し、70ミリワットという極めてわずかな消費電力で作動する。
だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、次世代自動車や発電、鉄道など産業分野への利用が進む。
独自構造のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の搭載や、冷却フィン一体の直接水冷構造の採用により、インバーターを低消費電力化できるようにした。
まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... SiC製の金属酸化膜半導体電界効果トラ...
