- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,183件中、30ページ目 581〜600件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.006秒)
【名古屋】パナソニックデバイスSUNXは、受光素子に相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを採用した反射型レーザーセンサー「HG―Cシリーズ=写真」を発売した。
一方、ソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーが主力商材のUKCホールディングスは、中国でEMS(電子機器の受託製造サービス)事業を展開。
【UKCホールディングス社長・福寿幸男氏「“ノンソニー”の比率向上」】 ―ソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを仕入れて、韓国サムスン...
同社の半導体・電子部品事業では、売上高の半分以上をソニー製相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーが占める。
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
同パッケージ技術は、高速スイッチングを特徴とする金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)にも応用。
昭和電工は26日、半導体製造用高純度ガスである高純度亜酸化窒素の供給体制を韓国で拡充すると発表した。... 高純度亜酸化窒素は、ガス状の原料を半導体の基板上に堆積させて薄膜を作る化学気相成長(...
情報通信研究機構は26日、次世代パワー素子である酸化ガリウム金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの実用化に向け、同機構内に「グリーンICTデバイス先端開発センター」を設置、本格的な研...
新開発の画像処理エンジンと相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを搭載し、より自然なトーンで肌色を出せるようにした。
開発したのは、回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)シリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスによる半導体チップ。
インバーター回路のスイッチング素子などには、SiC金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
小林研究室は、シリコンウエハーを共沸硝酸に漬け極薄の酸化膜を形成して変換効率を高める技術を保有。また、過酸化水素とフッ酸に浸し白金触媒で、微結晶シリコン層を形成する技術も確立している。 ...
新開発の高感度相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載するとともに、ノイズを除去する独自の信号処理技術により最低被写体照度で0.005ルクスを実現。
サファイアと窒化アルミニウム、シリコン酸化膜が積層した基板に、有機金属気相成長という方法で直径50ナノメートル(ナノは10億分の1)、高さ約1・5マイクロメートル(マイクロは1...
