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回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)、同32ナノメートルなど、半導体メーカーがコストダウンにつながる微細化投資を継続していることに加え、多機能携帯電話(スマートフォン...

東芝は当初計画を2カ月前倒して7月から四日市工場(三重県四日市市)で線幅32ナノメートルプロセスのNAND型フラッシュメモリーの量産を開始。

SSDを構成するNAND型フラッシュメモリーに、一つの記憶セル2ビット(4値)のデータを保存できる多値NANDフラッシュを採用した。多値NANDを高速・並列動作できるコントローラーによ...

自社開発のNAND型フラッシュメモリー制御ICを搭載し、読み込み速度を1秒あたり最大95メガバイト、書き込み速度を同55メガバイトに高めた。

東芝、3131億円増資 (2009/5/11)

09年度の設備投資は2500億円にとどめるが、2010年度は、NAND型フラッシュメモリー製造設備投資などで、全社で4500億円に高める計画。

ディスクリート(個別半導体)は通期で黒字化、NAND型フラッシュメモリーも減産効果で「7―9月期から黒字に浮上する可能性がある」(同)。

東芝は27日、1チップで32ギガビット(4ギガバイト)の記憶容量を持つNAND型フラッシュメモリを開発、サンプル出荷を始めたと発表した。... 同社は32ナノメートルプロセスを使ったN...

NAND型フラッシュメモリーについては3割減産を継続するものの、売価下落に歯止めがかかりつつある。... また、NAND型フラッシュメモリーの価格は08年度に70%強下落したものの、1月時点で...

TDKは21日、データの転送速度を従来品の4倍の1秒あたり95メガバイトに引き上げたNAND型フラッシュメモリー制御IC(写真)を開発したと発表した。NAND型フラッシュメモリにおける...

しかし公的資金投入で国内半導体産業を救うという大義名分に合う形で再編を進めるべきとの考えに立つなら、NAND型フラッシュメモリーの東芝とDRAMのエルピーダメモリによる“日の丸メモリー連合”という構想...

NAND型フラッシュメモリーも「単価は底を打った感触がある」(東芝関係者)と、先高感が強まってきた。

本来ならNAND型フラッシュメモリーは、収益の戻りが早い事業。... 昨年、NAND型フラッシュメモリーの2工場同時着工を表明したのは、新世代光ディスク「HD―DVD」からの撤退という悪材料をかすませ...

メモリーICとして主流のDRAMやNAND型フラッシュメモリーは、回路線幅を20ナノメートル台まで微細化するのが構造上難しい。

東芝はNAND型フラッシュメモリーとシステムLSI、ディスクリートの3分野を半導体事業の柱に位置づけてきた。

東芝は携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーに回路線幅32ナノメートルの次世代プロセスを採用する。

東芝はNAND型フラッシュメモリーを3割減産し、08年末に20―30%の供給過剰にあった需給バランスを1月末に需給均衡に戻した。「08年末にはNANDフラッシュ内蔵のUSBメモリーの在庫が客先...

NANDフラッシュは米インテルなどが出資するニューモニクスが操業を始めたほか、サムスンなどがDRAM生産ラインをNANDフラッシュに振り向けたため供給過剰を招いた。... DRAM、NANDフラッシュ...

これにより、NAND型フラッシュメモリーは08年12月に120―130%だった需給バランス(20―30%の供給過多)を需給均衡の100%まで改善した。

東芝と米サンディスクは共同で、メモリーの最小構成単位である1個のメモリーセルに、8値(3ビット)と16値(4ビット)のデータを蓄積できる2種のNAND型フラッシュメモリ...

DRAMとNAND型フラッシュメモリーの両方を手掛ける韓国のハイニックス半導体も銀行から金融支援を受ける事態に陥った。

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