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一方で、東芝のNAND型フラッシュメモリーやソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーは、世界でもトップシェアを争う製品で、両社の中でも大きな収益源になっている。

【京都】オプテックス・エフエー(京都市下京区、小國勇社長、075・325・2920)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)レーザーセンサーに受光波形の処理技術「トリコア...

いずれも特殊処理で表面に酸化膜を形成し、耐久性を高めた。

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を内蔵。

「APS―C」サイズの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した機種としては業界最小。

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと映像処理プラットフォームも新開発し、歩行時の映像のゆがみを抑えた。

スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のデバイス構造を融合させた。

表面に独自の3層構造のチタン系セラミックス酸化膜を形成してアルミとの親和性を低くし、耐焼き付き性を高めた。... これに3層構造のチタン系セラミックス酸化膜を重ね13層にした。もろい酸化膜を3層構造と...

日本精工は、表面に酸化膜層を形成し耐食性をステンレス製の25倍以上に高めたボールネジとリニアガイドを開発。

また、複数企業と開発を進めている最先端の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術では、回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)まで微細化を進める方針を示した。...

スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来製品に比べて6割低減。

東芝は小型・低消費電力を実現した画素信号読み出し回路搭載の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー(固体撮像素子)を開発した。

試作した基板はシリコン基板上にシリコン酸化膜と触媒金属のコバルト薄膜を積層した構造。

オペアンプや金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など数点の部品を追加することで、ちらつきの原因となる電流の変動(リプル)をゼロにした。

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーに比べて赤外領域の感度が高く、目に見えない赤外線を照射して相手に気付かれずに撮影できる。

スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来比6割低減。

東芝はスマートフォン(多機能携帯電話)の無線通信方式であるWCDMA/LTEなどのデータ信号を送信する際に必要な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電力増幅器の...

開発したのは、SiCの金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)と、SiCのダイオードで構成。

(京都・小林広幸) 【製品プロフィル】 SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効...

東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...

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