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記事検索結果
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京都高度技術研究所は、5日13時から京都市下京区のホテルグランヴィア京都で「SiCパワーエレクトロニクスシンポジウム」を開く。炭化ケイ素(SiC)研究の松波弘之京都大学名誉教授ら大学の...
【神戸】トーカロは炭化ケイ素(SiC)の表面にアルミナ、ムライト、イットリアなどを皮膜した部材「セラミックコーティング炭化ケイ素部材」を開発した。... 大気プラズマ溶射法を使い、Si...
日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。
三菱電機は1200ボルト・1200アンぺアと世界最大容量で動作する炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールを開発した。トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSi...
三菱電機は6日、パワー半導体用の4インチ角の炭化ケイ素(SiC)インゴットをウエハーにする際、放電加工で40枚同時にスライス切断する技術を開発したと発表した。... 高硬度なSiCの切...
だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。 「...
【本賞−ローム「“フルSiC”パワーモジュール」】 電力変換時の損失を大幅に削減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に注目が集まる。... 「“フルSiC”パワーモ...
ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... 一方で同社は半導体装置の部材として供給するSiC...
エア・ウォーターは窒化ガリウム(GaN)半導体向け炭化ケイ素(SiC)下地基板を開発した。... SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメ...
「溶融塩電池やレドックスフロー電池といった蓄電池、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体の研究開発も盛んにやっている。
本賞10点には、シャープ、富士通のほか、アイダエンジニアリングのサーボトランスファープレス、オークマのファイブチューニング機能を搭載した5軸制御立形マシニングセンタ、島津製作所のトリプル四重極型ガスク...
《ローム》“フルSiC”パワーモジュール−電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減 世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素(SiC)材料を適応したパ...
理化学研究所の片平和俊専任研究員、慶応義塾大学の小茂鳥潤教授と日進工具は、高純度炭化ケイ素(SiC)を高精度に微細加工する技術を開発した。... 高純度SiCは素材が硬く、これまでは1...
ロームは、耐圧1200ボルトで電流容量180アンぺアの炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールを量産すると12日発表した。モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した炭化ケイ素(SiC)パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...
