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今後は携帯電話向け相補型金属酸化膜半導体(CMOS)パワーアンプも新規に立ち上げ、RFICと組み合わせて提案する。

一眼レフタイプの高級機や下位普及機の「相補型金属酸化膜半導体(CMOS)もいずれ全部日本製になる」と見るのは、アイ・スクウェアリサーチ(京都府向日市)社長の浅野治さん。...

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーの各画素上に、極小レンズを150個×100個平面上に並べて集光する。

デバイス開発本部は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの半導体デバイスを開発・製造する。

200万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを搭載。

携帯電話やパソコンなどに搭載されるカメラモジュールは、レンズ部と電荷結合素子(CCD)や相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の撮像素子(イメージセンサー)...

ソニー 感度が従来品比2倍の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載したコンパクトデジタルカメラ「DSC―WX1」を9月18日に発売する。サイバーショットシリーズの新機...

2・33分の1型の1029万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した。... 高画素のCMOSセンサーを搭載しているため、画素補間のない900万画素の静止画を撮影でき...

デジタルカメラなどに使う電荷結合素子(CCD)や相補型金属酸化膜半導体(CMOS)は受光素子(フォトトランジスタ)を形成したウエハー上に、色分解するカラ...

【京都】ロームは業界トップクラスの低消費電流タイプと、高速応答タイプの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)演算増幅器(オペアンプ、写真)を開発した。

またスピークン機能内蔵の携帯電話はコード読み取りの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラや発光ダイオード(LED)などを組み込む計画。

感度を従来品比2倍にした相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用。

具体的には回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)、45ナノメートルレベルの標準相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を想定し、実現に向け、しきい値電圧(オン...

同社は2008年度にCMOSカメラモジュール向けに展開を開始。... 同社はCMOSカメラモジュール向け樹脂の世界市場を年約4000トンと予測する。この市場でジェネスタが優位に立てる可能性は高いと判断...

IBM主導の技術開発プログラムに参画し、同社イースト・フィッシュキル(ニューヨーク州)拠点で同28ナノメートル相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス技術を共同開発す...

既に開発済みのCMOS送信ICと組み合わせ、化合物半導体製の従来品より約2分の1に小型化した光伝送モジュールを2010年にも実用化する。... 65ナノメートル世代(ナノは10億分の1)...

この新構造を採用し、60ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで16層のメモリーセルを積んだチップを試作した。

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の金属ゲート・高誘電率ゲー...

0・18マイクロメートル(マイクロは100万分の1)のCMOSプロセスで試作、0・114ミリワットの低消費電力で4・5ギガヘルツ(ギガは10億)で発振する。

NECエレクトロニクスは、90ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の微細CMOSプロセスに対応する新アナログ回路技術を開発した。

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