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キヤノン、ペロブスカイト量子ドットインクの耐久性実証 (2023/6/1 電機・電子部品・情報・通信1)

ペロブスカイトQDはカドミウムを使わない材料として、リン化インジウム(InP)QDとともに注目されている。

素子中にはヒ化ガリウム中にヒ化インジウムの粒(ドット)が並んだ層を作る。

JR東とプロテリアル、新トロリ線開発 低摩耗で交換周期1.4倍 (2023/5/25 素材・建設・環境・エネルギー1)

従来の銅スズ合金線に希少金属のインジウムを添加し、耐引っ張り荷重を従来比約25%強めた。... JR東の在来線で用いるトロリ線は従来、銅にスズを添加しており、今回はそれにインジウムを加えた。

さらに高機能センサーの「LiDAR(ライダー)」では、インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)、窒化ガリウムなど非シリコンベースの半導体需要が加速。

JX金属、FPD用スパッタリングターゲット事業を終了 (2023/3/14 素材・医療・ヘルスケア1)

同社は1985年、主に大型フラットパネルディスプレーの透明導電膜形成材料として使用する酸化インジウムスズ(ITO)スパッタリングターゲットの生産を磯原工場で開始した。

DOWAエレクトロニクスは1日、3月のインジウム4N(ITOグレード)の建値の一部を前月分から引き上げた。

酸化インジウム・酸化亜鉛(IZO)のn型薄膜トランジスタ(TFT)を塗布で作製する。

DOWAエレクトロニクスは1日、2月のインジウム4N(ITOグレード)の建値の一部を前月分から引き上げた。

中沢卓越教授はエルビウムを添加したファイバーと、InGaAsP(インジウム・ガリウム・ヒ素・リン)半導体レーザーを組み合わせる手法を提案。

DOWAエレクトロニクスは、1月のインジウム4N(ITOグレード)の建値の一部を前月分から引き下げた。

金電極表面にルテニウムとテトラホスフィンの有機金属錯体で膜を作り、ガリウムインジウム共晶の液体電極で封止し温度勾配をかけて起電力を計測した。

ガリウムをアルミニウムやインジウムと交換してナトリウムの間隔を調整すると、ナトリウム同士の距離が縮まるほど熱を伝えにくくなった。

インジウムガリウムヒ素薄膜をシリコン光導波路に貼り合わせて光を吸収させる。すると光が電子と正孔に分かれ、正孔はインジウムガリウムヒ素に溜まり、電子はトランジスタ電流として流れる。

近赤外光の透過率は87・7%で、酸化インジウムスズ(ITO)フィルムの1・74倍透過する。... ポリエチレンテレフタレート(樹脂)上に酸化インジウムの透明導電...

セリウムとコバルト、インジウムからなる超電導物質において、インジウム原子をわずかに亜鉛原子に変えて元素間の磁気の結び付きを変えた複数の試料を作製。

酸化インジウムスズ(ITO)電極表面をカフェ酸で修飾すると0・5電子ボルトほどエネルギー障壁が下がった。

DOWAエレクトロニクスは1日、12月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を前月分から引き下げると発表した。

DOWAエレ、11月のインジウム4N建値下げ (2022/11/4 金融・商品市況)

DOWAエレクトロニクスは11月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を前月分から引き下げた。

難しいとされる赤色LEDの発光は窒化インジウムガリウム(InGaN)で実現した。

DOWAエレクトロニクスは、10月のインジウム4N(ITOグレード)の建値の一部を前月分から引き上げた。

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