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記事検索結果
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【名古屋】デンソーは27日、通電時の電気抵抗(オン抵抗)を最高水準まで抑えられるパワー半導体の形成技術を開発、新日本無線との間で技術供与契約を結んだと発表した。... 開発したのは、半...
オン抵抗とゲート容量の積で算出するスイッチング性能指数の「FOM」が21で他社品に比べて約3割性能が高い。
CMOSは演算能力が高く、小型化できるなどの特徴を持つが、オン抵抗が大きいため損失も大きく、結果として電力効率が悪くなる欠点があり、パワーアンプへの適用は進んでいない。
電圧600ボルトで1平方センチメートル当たりのオン抵抗値が0・79ミリオームと、業界で初めて1ミリオーム以下を達成した。... ロームが10年から量産しているSiC製パワー半導体と比べてもオン抵抗が7...
従来のゲート電極に付加する金属フィールドプレートをp型GaN薄膜に置き換えることで、高電圧下でチャネル抵抗が増加する電流コラプス現象を抑制した。... 下層の窒化アルミニウムガリウム(AlGa...
従来品に比べてオン抵抗を4割低減し、6ミリオームに抑えた新製品を軸に事業を拡大する。現在、車載制御ユニットには機械式リレーが多用されているが、オン・オフ切り替え時の摩耗による故障抑制や機器の小型化を狙...
同社独自のプロセス技術によりオン抵抗を減らし、電力変換時の損失低減と両立した。耐圧40ボルト機種の場合、数値が低いほど高性能とされるオン抵抗入力容量積(Ron・Ciss)を従来品に比べ...
8ボルト―60ボルトの耐圧で従来より低いオン抵抗を実現した。... 配線材料はアルミニウムから抵抗の小さい銅に変え、配線領域を縮小して信頼性を高めた。
安全動作領域を確保した上で、トレンチ間隔と呼ぶチップ上の溝を現行の4マイクロメートルピッチ(マイクロは100万分の1)から2・4マイクロメートルピッチに狭めて、通電損失の目安となるオン...
