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記事検索結果
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回路形成の微細化限界が指摘される中、電極を通してチップを重ね合わせるシリコン貫通電極(TSV)積層技術など3次元実装は半導体の高性能化の新技術として今後の市場拡大が見込まれる。
大日本印刷(DNP)はMEMS(微小電子機械システム)受託加工事業で、2014年にも直径300ミリメートルウエハーでシリコン貫通電極(TSV)技術を採用...
キャパシター素子の内部で電気を蓄える構造をつくる内部電極には、従来のニッケルに代えて電気抵抗が低い銅を採用する。... 銅を内部電極に使い、素子自体の抵抗値(インピーダンス)を低くした...
複数のチップを高速で電気的に接続するシリコン貫通電極(TSV)と呼ばれる技術を活用する。 ... 平面の電極膜と絶縁膜を交互に何層にも重ね合わせ、積み重なった膜を貫通...
アルバックはシリコン貫通電極(TSV)向けに、エッチングからメッキ工程までのTSV製造工程で使用する装置と製造条件を提供するサービス「TSVターンキーソリューション」を12月から開始す...
シリコンや炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体、LEDのほか、微小電気機械システム(MEMS)、シリコン貫通電極(TSV)を対象とする。 ...
半導体の製造工程であるシリコン貫通電極(TSV)プロセス、バンピングなどのウエハーレベルパッケージのメッキ液管理に使用する。
住友精密工業と子会社の英SPPプロセステクノロジーシステムズは6日、フランス原子力庁電子・情報技術研究所(CEA―LETI)と直径300ミリメートルウエハー向けに貫通電極(TS...
【京都】サムコは6日、シリコン貫通電極(TSV)向けに開発した直径300ミリメートル(12インチ)ウエハー用の絶縁膜形成装置「PD―330STC=写真」を13日...
先端の半導体パッケージでは、半導体チップを複数枚重ねて、貫通電極で回路を垂直方向にもつなぐ3次元構造が採用される。
大日本印刷は14日、次世代半導体パッケージ開発向けにシリコン貫通電極の評価用基板を発売したと発表した。... 大日印の標準仕様はシリコン貫通電極部を銅メッキで形成し、評価基板の厚さは400マイクロメー...
最先端の研究や試作への参画では、2010年以降に本格化が見込まれるTSV(シリコン貫通電極)など3次元実装技術の加工プロセスを提案する。
一方、今回技術と同様に、3チップ以上を集積できる貫通電極(TSV)技術は新たなプロセス開発が必要で、高コストなどの課題がある。
韓国サムスン電子はシリコン貫通電極(TSV)を使ってDRAM4チップを3次元に積層し、大容量化に成功した。
同社の貫通電極形成用ウエハーハンドリングシステム「ゼロニュートン」に対応する。... 新装置はウエハーにガラス製サポート板を張り付け、強度を持たせ、貫通電極形成などの加工を可能にする。貫通電極形成後に...
