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記事検索結果
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東芝デバイス&ストレージは低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や小信号デバイスなど、一つの素子に端子などを付けて樹脂でパッケージするディスクリート半導体...
奈良先端科学技術大学院大学のパンディ・マニッシュ助教と中村雅一教授らは、電子を流すn型ポリマー半導体で転写可能な薄膜を作製し、実用性能の電界効果トランジスタ(FET)を開発した。
この薄膜で電界効果トランジスタを作製すると高い性能を得られた。... この厚み数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜でトランジスタを作製するとキャリア移動度やオンオフ比は高い性能...
「GAA(ゲート・オール・アラウンド)」と呼ぶ、立体構造のトランジスタで、「ナノシート構造」を採用しているのが特徴。魚のひれに似た電界効果トランジスタ(FinFET)の...
AI処理に必要な積和演算に縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を利用する。... 縦型FeFETに電圧を入力すると、トランジスタの抵抗の逆数を掛けた電流値が得られる。
25年度後半に量産を始める「TED―MOS」は、日立の独自構造を持つ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
セミクロンが開発したEVの主機インバーター向けパワーモジュール「eMPack」に、ロームの第4世代SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が採用された。 &#...
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、松本工場の既存の6インチウエハー用ラインで量産に乗り出す。
保護ICは過充電や過放電を検出すると電界効果トランジスタ(FET)スイッチをオフにして電流を遮断し、バッテリーを故障や劣化から守る部品。
23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせたスイッチング電源デバイス。
独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...
NTT物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。... 窒化アルミでのトランジスタ動作は世界初。... ...
低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
NICTでは、20年に、酸化ガリウム高周波電界効果トランジスタが、10ギガヘルツ(ギガは10億)程度までの周波数で利用可能であることを初めて実証した。
(電機・電子部品・情報・通信に関連記事) ルーシッド・モーターズが2021年10月に出荷を始めた高級EVセダン「ルーシッド・エアー」のDC/DCコンバーター...
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。
シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
