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記事検索結果
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3月には北海道千歳市に新工場の建設を決めたほか、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関imec(アイメック)と次世代半導体の微細加工に必要な極端紫外線(EUV)露光技術...
次世代半導体微細加工向け 最先端半導体の開発製造会社のRapidus(ラピダス、東京都千代田区、小池淳義社長)は4日、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関であるim...
一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... 韓国メーカーによる最先端半導体の...
最新機種のCG7300は極端紫外線(EUV)露光装置を用いる最先端半導体の量産ラインへの導入を目指し18年に開発を始めた。
EUV露光装置を手がけるASMLの22年10―12月期の営業利益は同約4%増の21億2400万ユーロ(約3027億円)。EUVに次ぐ微細加工が可能なArF液浸露光装置でシェア2...
次世代材料では最先端の極端紫外線(EUV)露光に対応したフォトレジスト用ポリマーや「有機金属プリカーサー」などを開発している。... EUVレジスト用ポリマーや有機金属プリカーサー、パ...
半導体部材、技術革新に挑む 全額出資子会社のAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)が生産する半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランク...
半導体回路の微細化に不可欠な極端紫外線(EUV)の露光装置を使った量産技術の開発を共同で進める。 imecはEUV露光技術のノウハウを持つ。
同工場では次世代半導体の製造に不可欠とされる極端紫外線(EUV)露光に対応した製品を含む各種フォトレジストや、同じく半導体の製造に欠かせない高純度化学薬品を生産する。
現在半導体大手は極端紫外線(EUV)露光を用いて線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の実現を目指している。
蘭ASML、キヤノン、ニコンの大手3社のうち、唯一極端紫外線(EUV)露光装置の開発に成功しているASMLが市場トップを独走する。... ASML、EUV供給を独占 ...
現在の半導体露光装置は26ミリ×33ミリメートルの範囲を露光できる「スキャナー」方式が主流だが、22ミリメートル角の範囲を露光できる「ステッパー」方式の採用を検討している。露光時の縮小倍率は...
「(半導体性能が1年半から2年で2倍になるという)ムーアの法則は今後10年以降も続いていく見通しで、それを中心的に支えるのが最先端の極端紫外線(EUV)露光装置。......
AGCは25日、最先端の半導体製造プロセスである極端紫外線(EUV)露光用部材の生産能力を2024年までに現在の2倍に増強すると発表した。... EUVマ...
極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの生産を控えるなど順調に成長しているが、まだまだ飛躍する余地がある。
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。......
露光装置最大手の蘭ASMLは受注残が196億ユーロ(約2兆5700億円)に上る。... 25年までに生産台数をEUV露光装置で20年比2倍以上に、DUV(深紫外線)露光...
JSRは極端紫外線(EUV)用メタルレジストに強みを持つ米インプリア(オレゴン州)を買収する。... 19年にEUV用メタルレジストの量産体制を整えた。......
ADEKAは30日、極端紫外線(EUV)露光向け光酸発生剤の生産能力を従来比2倍以上に引き上げると発表した。... フッ化アルゴン(ArF)液浸露光向けに加え、半導体の...
