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記事検索結果
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将来的には窒化ガリウム(GaN)や酸化ガリウム(Ga2O3)といった次世代の素材の加工も視野に入れる。
三菱ケミカルグループが手がける4インチの窒化ガリウム(GaN)基板などの製品を紹介した。
次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも性能で優れる。
三菱電機は第5世代通信(5G)のネットワーク拡大に対応するため、多数のアンテナ素子を用いる「massive MIMO(マッシブマイモ)」基地...
最小ゲート入力パルス幅1・25ナノ秒で、GaNデバイスを高速スイッチングできる。... 過電圧入力によるGaNデバイスの故障を防ぐ。ローム製のGaNデバイスと組み合わせて回路を構成することで、回路設計...
信越化学工業とOKIは、窒化ガリウム(GaN)成長用の複合材料基板からGaN機能層のみを剝離し、異種材料基板に接合する技術を共同開発した。GaNの縦型導電が可能となり、より大電流を制御...
AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。
窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。... 電子を高速に移動できるGaNパワー半導体などにより...
さらに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体、高容量の電池などにアクセルを踏む」 「中期ではCNの関連投資を強化する。
今回認定されたSSS製品は、携帯電話基地局の消費電力低減に寄与する「高周波用途GaNエピタキシャルウエハ」、環境保全型農業の構築に資する「生物農薬(天敵昆虫)」、天然由来成分を独自に配...
窒化ガリウム(GaN)や窒化アルミニウム(AIN)でも開発を続け、ウエハーの量産を目指す。 炭化ケイ素(SiC)やGaNなどの化合物半...
ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ(SiP)を2種類開発し、販売を始めた。
体積99%・電力損失55%減 【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ&#...
ダイヤモンドや窒化ガリウム(GaN)のような半導体の中に孤立した状態で入り込んだ不純物原子は、一度のイベントで必ず一つの光子を放出する、すなわち、単一光子源として振る舞うことが発見され...
そのGaN基板を手がけるのが、三菱ケミカルグループと住友化学だ。... ロームは2022年にGaNを使ったパワー半導体の量産体制を整備。... 同社は特殊なセンサーやレーザーの一部にGaNを使用してい...
GaNパワー半導体は高速だが、高電圧への対応が課題だった。... 今回、両社は縦6ミリ×横4ミリメートルのGaNパワー半導体を開発した(写真)。... GaNを活用し高速動作...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体のほか、パッケージやモジュールの開発などに取り組む。
紫外線LEDのチップの窒化ガリウム(GaN)表面にこれまで加工できなかった100ナノメートルサイズの微細加工を施した。
また第1弾ではパワーデバイスに炭化ケイ素(SiC)を搭載するが、第2弾ではDC―DCコンバーターやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意な窒化ガリウム(GaN)に置き...
