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記事検索結果
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産業技術総合研究所は27日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに代わり新たにイリジウムを...
今回、記憶素子を手作業で配線したが、磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造技術を使えば簡単に数千個規模の回路網を作れるという。
スピントロニクスの応用の一つが、磁気抵抗メモリー(MRAM)だ。... 電流がつくる磁場で情報を記録する初代のMRAMに対し、日本は2000年代初頭から、次世代の「スピン注入磁化反転型...
MRAMの実用化に必要な大容量化・高集積化への貢献が見込める。 ... MRAMの書き込み速度の向上や消費電力の削減が可能になる。 MRAMはDRAMに変わる不揮発...
近年、磁性体の磁化の向きで情報を記憶する磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が実用化されつつある。最近、MRAMの新しい情報の書き込み方法として、スピンと軌道相互作用に由来するトル...
NEDOは現在、日本が得意とする不揮発性素子(MRAM技術)を使って、必要な時だけ電力を消費する「ノーマリーオフコンピューター」を開発するプロジェクトを3月まで実施中。
東芝と、東京大学の中村宏教授らの研究グループは1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトとして、消費電力を従来メモリー比10分の1以下に抑えた新方式の磁性体メモ...
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...
産業技術総合研究所は10日、不揮発性メモリー(MRAM)の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。
大阪大学の鈴木義茂教授、産業技術総合研究所の湯浅新治ナノスピントロニクス研究センター長らが磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発を担当。
これにより、同MRAMの密度を同3倍に向上できる。... 開発した技術は、16キロビットSTT―MRAM向けとして実証した。... LEAPの杉井寿博磁性変化デバイスグループリーダーは実用化に向け、「...
MRAMの実用化に向けた最大の課題を解決し、メモリーの微細化、大容量化に道を開く。... 開発技術はこれまで難しかったMRAMデバイスの微細化、高集積化を加速する手法になり、数十ナノメートル世代...
11月に創立50周年を迎えた東京エレクトロンは次世代メモリーのMRAM関連の装置技術などを紹介すると同時に自社の歴代製品を模型展示し、「取引先との関係を深める場としても活用したい」(担当者&#...
東芝は17日、次世代半導体メモリーとして期待されるMRAM(磁気記録式メモリー)を2014年からサンプル出荷することを明らかにした。... MRAMは現在、韓国SKハイニックスと共同開...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
東芝は動作時の電力消費量を従来比10分の1程度に低減した不揮発性磁性体メモリー「STT―MRAM」を開発した。... 開発したのは、垂直方向に磁化を記録する同社開発の垂直磁化方式STT―MRAMをベー...
次世代メモリーとして期待される磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造装置開発につなげる。... 東京エレクトロンの熱処理炉技術を組み合わせることで、MRAM用の熱処理装置を開発。
低消費電力で書き込み速度が高速な「STT―MRAM」の製造装置技術の早期確立が狙い。... 13年に東北大学が開設する国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発センター(仮称)内でSTT...
