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記事検索結果
69件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.005秒)
(敬称略) ◇ 【論文賞】 ▽「2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究」坂本武司、久保田章亀、峠睦(熊本大、熊本大...
この界面はSiC基板と、同基板の上に形成するゲート絶縁膜が接し、酸化して形成される結合面のこと。... SiC基板はシリコンと炭素、ゲート絶縁膜はシリコンと酸素で構成する。最終的にはSiC基板側のシリ...
理化学研究所大森素形材工学研究室の片平和俊専任研究員と慶応義塾大学の小茂鳥潤教授、日進工具は、低温プラズマを照射して炭化ケイ素(SiC)基板を高精度に微細加工する技術を開発した。......
戦略的基盤高度化支援事業(サポイン事業)として、2012年度から3年間「拡散接合法によるSiC素子用高信頼性冷却(放熱)基板の開発」に取り組んだ。 こ...
しかし、IGBTの作製に必要なp型基板は、SiC基板としては品質が悪く、デバイスの作製には従来問題があった。 今回、エピタキシャル成長によってp型基板層を作製する従来のフリップ型の技...
安価なシリコン基板上に高品質なSiC単結晶薄膜を低コストで量産する技術で、業界初という。... SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同...
パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させ、独自構造のノーマリオフ型のGaNトランジスタを完成。... シリコン基板を採...
だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。 「...
エア・ウォーターは窒化ガリウム(GaN)半導体向け炭化ケイ素(SiC)下地基板を開発した。... SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメ...
【北九州】高田工業所は15日、炭化ケイ素(SiC)基板などの難切材を高速切断する超音波ダイシング(切削)装置「CSX―400シリーズ」を開発、12月から発売すると発表し...
炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフェンを作り込む場合、基板表面にナノレベルの段差があると電子密度が均一ではなく、バラつきが生じることになる。... 具体的には微細加工処理したSiC基...
省エネルギー性能に優れ、現行のシリコンに代わる次世代技術として注目されるのが、炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体。... さがみはら産業創造センター(相模原市緑区)...
このほど11年までほとんど実績がなかったLED用サファイア基板やパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板の原料となる結晶生産溶融炉向けの導入が決定。
6億円を投じて、太陽電池向け電子ペーストや炭化ケイ素(SiC)基板用の研磨工具などの研究開発に使う各種試験・評価装置を導入する。
現状の基板サイズは3インチだが、将来的には6インチまで大きくする。 ... 今回の技術を使えばモジュールに必要な基板面積をおよそ半分にできる。またSiC基板の価格は現状使われているシ...
超音波による振動と材質ごとに適したブレードを選定することにより、SiC基板を毎秒25ミリメートルで切断できる。... SiCやセラミックスなどの高硬度材料切断時、ブレードのみの切断に比べて摩耗量を10...
また基板の原料がグラフェンと同じ炭素原子なので、不純物が入らない。... シート状の炭素構造物であるグラフェンの合成法は、炭化ケイ素(SiC)基板を加熱してSiを分解する方法や触媒を使...
