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記事検索結果
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工程全体でバラつきを補正する回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジックデバイス向けの製造技術で、既に量産ラインに導入した...
標準のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路上に、磁石の「スピン」を利用したスピントロニクス素子を積んだ積層構造を作り、記憶と演算の機能を回路に一体化した。
従来のシリコンの金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)に比べ、トランジスタの性能を決める電子移動度を向上。
新製品はAPS―Cサイズ(23・5ミリ×15・6ミリメートル)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用し、有効画素数が同15・7%増の162...
東芝は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの画質劣化の主因となる「ランダムテレグラフノイズ」と呼ばれる雑音を減らすためのシミュレーション技術を世界で初めて開発した。......
接合する材料に、ナノスケールの厚さの鉄とシリコンの膜をつけて、互いに押しつけるだけで接合できる。... シリコン熱酸化膜ウエハー同士を接合したところ、従来の常温接合技術と比べて接合強度は20倍程度だっ...
理論的に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)より電力損失を低減できる可能性があり、特に高い電圧を扱うEVや鉄道車両などの省エネルギーに役立つと期待されている。
パナソニックは12日、回路線幅32ナノ―45ナノメートルプロセスを採用した高感度MOS(金属酸化膜半導体)型イメージセンサー(写真)を開発したと発表した。
同社はこれまで行っていた製缶、バフ研磨に加え、ステンレスのバフ研磨後にバフかすを取り除く脱脂洗浄と、ステンレス表面に酸化膜を形成して耐食性を持たせる電解研磨処理技術を確立。
常時使う電源回路には厚膜トランジスタを採用し、漏れ電流を減らして消費電力を削減した。... 今回、90ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
東北大学大学院工学研究科の須川成利教授らは島津製作所と共同で、従来の電荷結合素子(CCD)イメージセンサーに比べて20倍速い毎秒2000万コマの高速動画撮影が可能な相補型金属酸化膜半導...
ソニーは11日、総画素数約2000万画素の大判相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した業務用カメラ「F65=写真」を開発したと発表した。
新製品は独自の1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーなどにより、撮影場面に応じて49パターンの画質設定の組み合わせから自動的に判断する機能を実現。
例えば各種材料の潤滑面では、冷間圧延鋼板は酸化膜が厚く不具合が生じにくい。一方、アルミニウムは酸化膜が薄く焼付きが生じやすいため、潤滑油の粘度を高める必要がある。
省電力に貢献する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)など複数のパワー半導体の出荷要請を受けており、4―6...
12月にはダイオードに続き、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産も始めた。 ... GaNはSiCに比べ基板上の膜を薄くする必要性があり、耐電圧...
