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記事検索結果
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130ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って、64個の光路切替素子と1個の光合分波素子を12ミリ×3ミリメート...
半導体工場(長崎県諫早市)もゲーム用を生産していたが、これを機にスマートフォン向けで需要が急増している高画質が特徴の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー用...
東芝は23日、既存の材料に比べて安価で小型化が可能な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使った車載用レーダー向けの電子部品を開発したと発表した。
45ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作したSoCの消費電力は約3・2ワットだった。
回路線幅90ナノメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使い、ナノブリッジを集積したLSIを試作して動作を実証した。
40ナノメートル(ナノは10億分の1)の量産型の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスでフリップフロップ回路を作った場合、従来比で最大77%の消費電力を削減...
現行の線幅32ナノメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)よりゲート当たりの面積と消費電力は大きいが、集積度を上げつつ省エネ化は可能としている。
裏面照射型の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、夜景撮影時などに感度やシャッター速度を変えて連写した画像を合成して最適な画像に自動で仕上げる機能も持つ。
ソニーは東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に11年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
1062万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、裏面照射型で最低照度4ルクスと高感度化も果たした。
パナソニックは26日、回路線幅110ナノメートル(ナノは10億分の1)のバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)製造プロセスを開発したと発表した。... またバ...
キヤノンは19日、業務用の高性能相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載で1画素当たりの受光面積を従来比2・6倍にした家庭用ハイビジョン(HD)ビデオカメラ「アイ...
富士フイルムは同社初のGPS機能のほか、1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用した「ファインピックス F550EXR」を3月末に国内外で発売する。
半導体各社は素材にシリコンの代わりに炭化ケイ素(SiC)を活用した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産に乗り出す。
