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記事検索結果
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その解決策として、セラミックスの一種で、高耐熱性、高腐食性かつ構成元素が半導体に無害の炭化ケイ素(SiC)材料に期待が集まっている。 しかし従来のSiC製品では半導体分野が要求...
自動車向けをはじめとする炭化ケイ素(SiC)パワー半導体開発で、デファクト・スタンダード(事実上の標準)を握る組織となる。 ... また同日、京都大学や三菱電機...
【京都】ロームは10日、炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体とショットキーバリアダイオード(SiC―SBD)「SCS110Aシリーズ」の量産を4月下旬に始めたと発表した...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心にパワー半導体の生産を増やすほか、炭化ケイ素(SiC)を活用した低損失次世代パワー半導体も製品化する。
炭化ケイ素(SiC)製のフィルターは引き続きイビデンが供給するが、設計の自由度が高まることでさまざまな製品サイズに対応可能になるという。
例えば炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の実用化にはインゴット、ウエハー、デバイス、システムまで、材料、加工、装置、ユーザーとなる自動車や重電などのメーカーが集まって開発する。シリコンに...
プラズマ化学気相成長(CVD)法を使い、非晶質の炭化ケイ素(SiC)膜を作製する独自の手法で、シリコン量子ドットの粒径を制御し、積層化する。 今回、シリコン量子...
【SiCに注目】 注目を集めるのがシリコンに比べ絶縁破壊強度が約10倍という炭化ケイ素(SiC)パワー半導体だ。
具体的には「世界トップレベルにある炭化ケイ素(SiC)を含めたパワー半導体を早期に社内製品に適用し、環境関連で新たな成長を実現する」とする一方、「新興国を中心に社会インフラ事業はさらに...
【4者共同で基板】 宇宙で使用する基板は表面に一直線の段を多数設けた円盤状の炭化ケイ素(SiC)。... 段はSiCをワイヤソーで切断する際の精度誤差を利用して加工した。
経済産業省は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体について、さまざまな業種の企業が集まって開発するオープンイノベーションの手法を初めて採用し、インゴット、ウエハーからデバイス、システムまでを...
ディスコは半導体切断装置で使うブレード(刃)に超音波振動を伝えることで、パワー半導体の基板材料である炭化ケイ素(SiC)の加工を効率化できる「超音波ダイシングユニット」...
三菱電機は20日、炭化ケイ素(SiC)製ダイオードと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた大容量パワーモジュールを開発した発表した。... IGB...
その代表格が炭化ケイ素(SiC)。... SiCはシリコンに比べて絶縁破壊に至る電界強度が約10倍。... これに対して同社は09年にSiC製で電力損失9割低減を実証した。
発電電力を流す高温超電導ケーブルや蓄電する二次電池、直流から交流への変換時にエネルギーロスを抑える炭化ケイ素(SiC)を使ったパワーデバイスで需要を取り込みたい」 ―自動車関連...
三菱電機は12日、2011年度までに炭化ケイ素(SiC)パワー半導体(用語参照)の開発、生産に約135億円を投じる方針を明らかにした。... 電力損失の少ないSiCはシ...
【川越】秩父電子(埼玉県秩父市、強谷隆彦社長、0494・22・5955)は、2月末をめどに炭化ケイ素(SiC)ウエハーの平たん度を高める研磨技術を確立し、4月にも同ウエ...
【次世代トランジスタ】 従来のシリコンに加え炭化ケイ素(SiC)や有機物、酸化物からカーボンナノチューブ、グラフェンまで。... パワー半導体の将来を担うSiCトランジスタは高...
