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記事検索結果
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ソニーは8日、映画用フィルムに相当するスーパー35ミリメートル相当の単板相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを採用しながら低価格なデジタルシネマカムコーダー「PMW―F3...
65ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って実際にチップを試作した。
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の王中長助教、幾原雄一教授、川崎雅司教授らの研究グループは、酸化物の薄膜を使って絶縁体が金属に変わる詳細な仕組みを明らかにした。... 研究グループは、人工宝石とし...
ほかに、一眼レフカメラの約4倍の画素面積を持つ35ミリメートル相当の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した4K(4096×2160)解像度の映像...
保護技術は、加工線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術で試作したチップを使って実証。
ソニーは7日、携帯電話向けに1641万画素の裏面照射型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー「IMX081PQ=写真」などを発売し、2011年1月から順次出荷すると...
約1320万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を搭載し、デジタルカメラで培った画像処理技術などを盛り込んで暗い場所で明るくきれいな画像を撮影できる。
オムロンは10マイクロメートル(マイクロは100万分の1)精度の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)搭載レーザー変位センサー「ZX2シリーズ=写真」を発売した。
トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モジュール(写真左)4個と、ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュール(同右&...
今回のHDビデオ会議システムは21・6型モニターと800万画素相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載のカメラなどを一体にした。
開発したトランジスタは、単結晶のシリコン基板上に薄膜単結晶シリコン層と薄膜シリコン酸化膜層を形成した絶縁膜上シリコン(SOI)基板を用いて作製した。ワイヤの断面は高さ12ナノメートル、...
65ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使い、毎秒25ギガビット速度に対応したトランスインピーダンス増幅器のチップを試作した...
低温で酸化できる中性粒子ビーム技術を導入し、ゲート電極と呼ばれる部分を絶縁する酸化膜の品質を高めた。... 300度C以下の低温で作製したシリコン酸化膜を使って素子を試作したところ、従来の技法である約...
13年ごろに導入される28ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産化を目指す。
撮像素子は1230万画素のAPS―Cサイズの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーで、23ミリメートルF2の単焦点レンズを搭載。
三洋電機は26日、リチウムイオン二次電池の充放電時の発熱、劣化を抑える保護回路用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を開発したと発表した。保護膜を付けることで、こ...
