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サンプル価格は電流4・5アンぺア・オン抵抗33ミリオームの「N0301」が1個30円。

新電元工業、オン抵抗20%低減のパワーMOSFETを開発（2009/2/17）

新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。... オン抵抗を小さくすると損失が低減できる...

サンケン電、窒化ガリウムでパワーデバイス−商品化急ぐ（2009/1/6）

GaNでは難しいノーマリオフ型FETの試作にこぎつけ、目標としていた金属酸化膜半導体(MOS)―FETの50分の1のオン抵抗を達成した。

パナソニック、高耐圧と低オン抵抗両立のGaNダイオード開発（2008/12/17）

パナソニックは16日、窒化ガリウム(GaN)を用いて高耐圧と低オン抵抗を両立したダイオードを開発した。... オン抵抗52ミリオーム平方センチメートルで従来のGaNダイオードに比べ約2...

際を極める−産総研の新研究戦略(3)省エネルギー技術（2008/9/22）

【SiC素子】そのSiC素子を空調機器のインバーター制御などに組み込むと、オン抵抗は従来に比べ10分の1になるというデータもあり、省エネ効果はきわめて高い。

三菱電機、2010年度からSiCパワーモジュール量産（2008/9/17）

SiCのニーズが高まっている理由には、IGBTなどの中・高耐圧のパワー半導体で、電力損失を決めるオン抵抗がSiの物理限界に近づいているため。

三洋半導体、リチウムイオン電池向けMOSFET3製品11機種発売（2008/8/4）

素子動作時の抵抗(オン抵抗)値は最小10・5ミリオーム。

このため電流が流れたときに発生する『オン抵抗』を減らす研究開発を進めている。

エーディーシー、±5アンぺアまで測定できる計測電源を発売（2008/6/10）

特に電流発生・測定範囲を5アンぺアに拡大し、導電材料やメッキ評価などの低抵抗測定、スイッチのオン抵抗測定など、用途を広げた。... 基本確度はプラスマイナス0・02%、最小抵抗測定分解能は0・...

京大、電力損失10分の1以下の炭化シリコンMOSFETを作製（2008/5/20）

作製したMOSFETの性能は耐圧(オフの時、素子に印可できる最大電圧)1540ボルト、オン抵抗(値が低いほど素子内部で発生する電力損失が少ない)50ミリオーム平方センチ...

ローム、日産と高耐圧の炭化ケイ素ダイオードを共同開発（2008/4/25）

電流が流れた時に発生するオン抵抗は、現在主流のシリコンダイオードの約10分の1の0・85ミリオーム平方センチメートルに抑え、インバーターのエネルギーロスを約20%低減した。

松下、消費電力37%低減した保護回路向けパワーMOSFETを出荷（2008/4/8）

ノートパソコン用は、素子の動作時の抵抗(オン抵抗)値は1・9ミリオーム。