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国内生産7割に引き上げ 日立パワーデバイス(東京都千代田区、奈良孝社長)は、2027年までに電気自動車(EV)やエアコン向けなどの...
【福岡】三菱電機は30日、パワーデバイス製作所(福岡市西区)内に開発試作棟「パワーデバイスディベロップメントセンター(PD棟=写真)」を竣工...
住友金属鉱山は25年のSiCパワーデバイス市場が21年比5倍の3500億円前後の規模に成長すると推測する。
電圧・周波数の変更や電力変換を行う機能を持つパワー半導体。... QST基板を独自改良し、耐電圧1800ボルト以上のパワーデバイスや高周波デバイスに応用できる基板材料を開発。... 【「日本発」酸化ガ...
東芝の半導体子会社、東芝デバイス&ストレージの高下正勝パワーデバイス技師長は、電力の効率利用に欠かせないパワー半導体の開発動向を紹介。
酸化ガリウムは次世代パワー半導体の課題とされる材料コスト改善につながる素材として期待される。... 酸化ガリウム半導体は、シリコン製の従来の半導体に比べてデバイスの消費電力の低減や高耐圧化を実現できる...
パワーデバイスの製造ではSiCウエハー上にさらにSiCを結晶成長させてデバイスに用いる。もとのウエハーの欠陥がデバイスの品質を左右するため、不良解析に提案していく。
東芝デバイス&ストレージパワーデバイス技師長の高下正勝氏が「東芝デバイス&ストレージが貢献する脱炭素社会」をテーマに講演し、それぞれ自社の先進的施策を紹介した。
その結果、世界で初めてSiCパワーICを実現し、さらに、低ノイズな高速スイッチング動作により、一般的なSiデバイスよりもスイッチング時の損失を2ケタ近く低減した。 ... (...
多能工育成、現場切り盛り 大分デバイステクノロジー(大分市、安部征吾社長)は、パワー半導体製品の企画・設計から量産まで一貫対応する半導体専門企業。... (東...
GaN基板にパワー半導体の回路を形成したら「回路部分を50マイクロメートル(マイクロは100万分の1)だけ剝いで磨いて、また回路を作るという使い方が可能になる」という。 ...
当日はデンソー執行幹部で環境ニュートラルシステム開発部長の石塚康治氏が「デンソーのカーボンニュートラル構想」、東芝デバイス&ストレージパワーデバイス技師長の高下正勝氏が「東芝デバイス&...
東芝デバイス&ストレージ(川崎市幸区、佐藤裕之社長)は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発サンプルの提供を始めた。... GaNを使...
信越化学工業は18日、パワーデバイス向けに窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル成長基板製品の製造・販売を始めると発表した。... パワーデバイスなどの高性能化・省エネルギー化...
それぞれの技術を融合して、窒化ガリウムパワーデバイスや次世代高周波デバイスへの活用を視野に入れた研究開発に取り組んでいる。
GaNパワーデバイスを除き、日本の存在感は薄く巻き返しが必要だ。(編集委員・池田勝敏、孝志勇輔) 【GaNパワーデバイス】日本が世界的リード...
同社の電源開発技術と、ロームのパワーデバイス開発・製造技術を組み合わせ、2022年度中の開発完了を目指す。 共同開発するGaNデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に...
三菱電機はパワー半導体製品の生産を担うパワーデバイス製作所の各工場が、GWの全日程で稼働する。前工程は4月に量産を始めた福山事業所(広島県福山市)と熊本事業所(熊本県合志市&#...
高温高耐圧のパワー半導体の開発につながる。 ... パワー半導体材料の中で窒化アルミは元素添加などでヘテロ構造を作れるためデバイスの設計自由度が高い。冷却ができない人工衛星など、高温...
