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ザイリンクスはゲートに大電流を流せる高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある金属(メタル)ゲートを28ナノメートル世代で...

従来材料の酸化ケイ素は信頼性は高いが、トランジスタの回路線幅が微細化し、漏れ電流が増大するなど材料限界に達している。

また、ニオブ/ポリマーの組み合わせは、大きなショート電流に対しても、タンタル/ポリマーに比べ約半分の発熱で済み、発煙もほとんどないという。 ... ポリマーを陰極に用いると...

非接触式では電極と測定プローブとの間に生じる漏れ電流を測定する。

だが、回路線幅が65ナノメートル(ナノは10億分の1)、45ナノメートルと細かくなると素子の特性がバラつき、漏れ電流が増え、消費電力がかさみ、配線遅延が起こる。

可視化した画像データを解析した結果、電界強度の大きい領域と結晶分布の位置関係がLSIの漏れ電流に大きな影響を与えることを突き止めた。 ... LSIの製造プロセス条件を改良し、欠陥を減らしたと...

結晶構造に欠陥があると漏れ電流が発生し、素子の信頼性が下がり、寿命の低下を招く。... スピン注入型は絶縁膜を磁性体で挟んだ磁気トンネル接合素子に電流を流し、磁化の反転を利用して情報を書き込む。...

特に炭素空孔に関係する点欠陥はSiC中のキャリアの再結合など余計な再結合を促進し、pn接合の漏れ電流増大などの素子性能に悪影響を及ぼす。

新製品はレーザー光を放出する活性層からの電子や光の漏れを防ぐクラッド層に独自の新素材を採用。漏れ電流(リーク電流)が大幅に減り、パッケージ温度を25度Cから60度Cに変化させた場合の6...

魚のひれ(フィン)に似た構造のFinFETは電流の制御性が高く、従来の平面型構造に比べて漏れ電流を減らせる利点がある。... 平面型では漏れ電流を抑えるために通常、シリコンのチャンネル...

また、熱処理を高温と低温で行うよう改良し、漏れ電流を抑えることで、消費電力は約30%減った。

トランジスタ構造には、ゲートに大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある「メタルゲート」を採用。

32ナノメートルプロセスから、多くの電流を流せる『高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)』とリーク(漏れ)電流を抑える『メタルゲート』を採用する。

電源のオフ時間を延ばすことで漏れ電流を減らし、余分な電力を省く。 チップ面積をほとんど増やさずに、突入電流を抑える専用の電源線を設けた。

微細化すると、リーク(漏れ)電流が増える」 ―そのリーク電流を抑えるにはどんな手法がありますか。 「リーク電流は65ナノメートルから40ナノメートル世代へと回路線幅を微...

また、待機時に消費電力が増える要因となる漏れ電流は100分の1に削減。

チャネルの不純物を減らすとともに、構造の改良で漏れ電流を抑えた。

そこで待機状態にあるプロセッサーの周波数を低く設定し、LSIの基板にかける電圧を調整して漏れ電流を抑える回路を導入した。... 動作周波数を効率的に割り当て、さらに待機時の漏れ電流まで減らす同技術は、...

平面型トランジスタで課題だった漏れ電流を制御できるが、さらに低消費電力化することが求められていた。 ... また、特にp型ではゲートから基板に流れる漏れ電流を約70%低減、待機時の消費...

この32ナノメートル品のトランジスタゲートに大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある「メタルゲート」を採用し、電力消費...

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