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山口教授らは分子線エピタキシー(MBE)法を使って、シリコン基板表面の酸化膜にガリウムのナノ液滴を堆積。... この酸化膜のピンホール底のシリコン基板結晶からインジウムヒ素の単結晶核を...

シリコンフォトニクスとは、シリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積回路の製造インフラを利用して高密度に光デバイス集積を実現するプラットフォーム技術である。

これまでに回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、4096ビットの拡張可能な全結合型イジング大規模集積回路(L...

東京理科大学の河原尊之教授らの研究チームは、回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、現在の量子コン...

三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術などを適用した、SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をネクスペリアへ開発・供給。

ソニー、「グローバルシャッター方式」採用のミラーレス新製品 (2023/11/9 電機・電子部品・情報・通信1)

新開発の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーに同方式を採用した。

大規模量子コンピューターで必須となるクライオ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積回路などの低温エレクトロニクスにも役立つ。

次の成長へ 半導体・電子部品商社(3)RYODEN、伯東 (2023/10/31 電機・電子部品・情報・通信1)

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーなどを手がける企業との関係性を強化している」(阿部未沙子) 伯東社長・阿部良二氏 事業化前プロ25年...

電力量や電気料金、二酸化炭素(CO2)排出量を即時に確認できる。... 明光電子(横浜市港北区)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーによる「ニ...

通常のチタン表面は酸化膜に覆われているためゲッター作用はないが、スパッタリングと呼ばれる手法でチタン表面の酸化膜を除去して露出させ、容器自体にゲッター作用を持たせることに成功した。 ...

新電元工業、理想ダイオード小型化 車載ECU向け年内量産 (2023/10/13 電機・電子部品・情報・通信)

外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。

さらに、高増幅・高速度の電荷結合素子(CCD)/相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラを使って可視光を捉え、即時に可視化分析する事により、At―211の生成...

DXの先導者たち(124)ITD Lab ステレオカメラにAI (2023/9/14 電機・電子部品・情報・通信2)

ステレオカメラは二つの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーが目となり、3次元(3D)の空間座標を即座に計算して人間と同じように空間を認識する。

ソニーセミコン、1742万画素で高精細撮影 車載用CMOSセンサー開発 (2023/9/13 電機・電子部品・情報・通信1)

ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市、清水照士社長)は12日、有効1742万画素の車載カメラ用の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを開発...

ViESTエンジンは粒子からの微弱な散乱光の検出や定量解析に特化しており、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと組み合わせて高感度を実現した。

米アップル、今年の新型iPhone出荷 前年並み目指す (2023/8/3 電機・電子部品・情報・通信1)

23年は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産上の問題により、次期エントリーモデルの出荷台数見通しを約200万台下方修正せざるを得なかったが、高価格帯のProモデルの...

ローム/GaN半導体と駆動用ICを一つのパッケージに (2023/7/31 新製品フラッシュ2)

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。

ローム、GaNパワー半導体と駆動用ICを同梱したSiP2種開発 (2023/7/20 電機・電子部品・情報・通信1)

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。

これが現在の研究を支えている」 「例えば研究では量子ビットを使う量子アニーリングマシンと相補型金属酸化膜半導体(CMOS)で量子ビットを模した疑似量子アニーリングマシ...

原子ずれ減らし量子ビット安定 産総研が特定 (2023/6/22 科学技術・大学2)

室温ではトランジスタ酸化膜中の欠陥が原因となる。温度が下がると酸化膜界面の欠陥によるノイズが増え、極低温では欠陥による原子位置のずれが主要なノイズ源となる。

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