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東芝、NAND第5・第6製造棟に30ナノメートル台プロセスを採用（2008/7/9）

量産では半導体回路をウエハーに焼き付ける露光工程に、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を用いた2回露光(ダブルパターニング)方を採用する方針。解像度を高めたArF液浸...

2010年の実用化が見込まれるチップ上の回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体は、露光工程に露光を2回実施して微細な回路パターンを描く「ダブルパタ...

半導体各社、20ナノ台の実用化に懸念−露光工程で課題（2008/6/17）

2013年ごろ実用化する20ナノメートル世代は量産ラインでの露光工程が課題に挙がる。... その結果、回路線幅20ナノメートル世代では回路をウエハーに焼き付ける露光工程に技術的、事業的な課題があること...

装置が支える半導体・液晶(5)露光2回「凍結法」で解決（2008/6/16）

32ナノメートルプロセスのポイントになるのは回路をウエハーに焼き付ける露光工程だ。 ... 1回目の露光でレジストパターンを凍結させ、直後に2回目の露光を実施する。露光と露光の間に行う感光部を...

東芝、09年度に30ナノ量産−20ナノは試験出荷（2008/6/6）

製造でポイントとなる露光工程は、同30ナノメートルプロセス品では解像度を向上するため、ArF(フッ化アルゴン)液浸露光装置を用いる。同20ナノメートルプロセス品では露光を2回実施して微...

東芝、来年度半導体に3500億円投資−「第5工場」四日市が有力（2008/1/1）

このため、回路をウエハーに焼き付ける露光工程に1台40億円するフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を複数台導入。これを含め100台近くの露光装置を導入する。 ... 同30ナノ...