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記事検索結果
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新日本製鉄は6日、高性能パワー半導体の量産・普及のカギとなる6インチ径の炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... SiCは従来のデバイス...
SiCを材料にするパワー半導体はシリコン製に比べて一般に電力損失が5割前後小さい。... SiCのダイオードはすでにロームや三菱電機が生産。... SiCが中長期で普及していくのは間違いないとされる。
2009年に「時流を先取りして設立した」と自負する通り、設立以来、県や経済産業省の支援事業に次々と採択され、10年には国家プロジェクトのSiCアライアンスにも加盟した。
大阪大学の山村和也准教授らは、炭化ケイ素(SiC)のような硬い材料に損傷を与えず平滑に研磨する技術を開発した。... 表面を平滑にするのにかかる時間は、市販のSiCであれば約1時間。....
【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...
新日本無線は2012年3月末までに、基板に炭化ケイ素(SiC)を用いたオーディオ専用ダイオードを発売する。... オーディオ用ダイオードの基板はシリコンが主流で、オーディオ用にSiCを...
テーマはシリコンカーバイド(SiC)。講師は新日本製鉄の藤本辰雄主幹研究員「低損失パワーデバイスを実現するSiC単結晶基板」と、新エネルギー・産業技術総合開発機構の田中博英スマートコミ...
電力損失をシリコンに比べて低減できる炭化ケイ素(SiC)を使った半導体は11年度中に、産業技術総合研究所が茨城県に敷設しているラインで少量生産を始める。
炭化ケイ素(SiC)ダイオードを搭載したほか、インバーターのパルス電圧振幅波形制御を2回路に増やしてエネルギー消費を抑えた。
ただグラフェンの機能を制御するには、基板に高価な炭化ケイ素(SiC)を使う必要があった。 シリコン基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ、真空状態で加熱すると薄膜表面がグ...
超音波による振動と材質ごとに適したブレードを選定することにより、SiC基板を毎秒25ミリメートルで切断できる。... SiCやセラミックスなどの高硬度材料切断時、ブレードのみの切断に比べて摩耗量を10...
SiC半導体の適用技術確立が狙い。... スイッチングに用いるすべてのチップをSiC化し、従来比で体積を半分に小型化した。... 明電舎はSiC技術を今後、高周波用途、高電圧用途などに展開していく考え...
東京大学の香川豊教授らは、割れにくく軽い炭素繊維と炭化ケイ素(SiC)の複合セラミックス材料を開発した。... ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズのナノ粒子を使っ...
京都高度技術研究所(京都市下京区、075・315・3625)は、7日13時半から京都市西京区のJSTイノベーションプラザ京都で、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスに関す...
ダイオードのほかトランジスタにもSiCを用いるインバーターの“フルSiC化”も進める。... 10年春にロームがSiC半導体の量産化で先行した。... 同市場の拡大をSiCがけん引する。 &#...
木本教授の業績は「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に関する先駆的研究」。既存の半導体にとらわれず、優れた性質を持つ新しい半導体材料であるSiCの研究に取り組み、この材料を革新的な省エネ...
▽東洋ドリル(秋田県羽後町)=WC―SiC基超硬材料を用いた難削材加工用工具の開発▽宮城化成(宮城県栗原市)=光透過性および不燃性および安全性に優れた複...
シリコン限界、素材開発に拍車 半導体素子をすべてSiCで構成したSiC半導体モジュール㊨。... 【まずSiC実用化】 次世代半導体の材料として実用化が迫るのがSi...
