- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,260件中、58ページ目 1,141〜1,160件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
シリコン酸化膜に換算した電気的に等価な膜厚である等価換算膜厚(EOT)で、世界初の0・37ナノメートル(ナノは10億分の1)のゲート絶縁膜を持つMOS型電界効果トランジ...
3次元型のOFETは、従来の横方向に電流を流すトランジスタに比べ高密度化でき、単位面積当たりの電流密度を高めることができる。有機半導体で課題となる素子間の性能のバラつきも、トランジスタ数を増やすことで...
超電導体になるなど物理学的な特徴も持つが、特に超高速トランジスタといった次世代エレクトロニクスの“ポストシリコン”素材としての期待が大きい。 ... グラファイト研究が活発な米IBMも今年、グ...
「DRAMやNAND型フラッシュなどメモリー向けの装置の落ち込みは07年末から始まっていたが、トランジスタやオプト関連向けは8月の初めまで堅調だった。
開発したMRAMは、セル(最小構成要素)をトランジスタ5個と直列につないだ磁気トンネル接合素子(MTJ)2個で構成する。面積は増えるが従来よりトランジスタを3個、MTJ...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、5ギガ―12ギガヘルツ(ギガは10...
また、ArF液浸露光装置が必要なのはトランジスタ配線層が30あるうち4―5層のみで、残りの25―26層は装置価格の安い一世代前のKrF(フッ化クリプトン)やArFドライ露光装置を用いる...
ガリウムヒ素製のトランジスタを使う従来の増幅器に比べ6倍以上の出力で、電波の届く距離が約2・4倍伸びる。... 増幅器は複数のトランジスタを並列に接続して構成する。... 入出力信号に経路差が生じない...
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は、待機時の通電を遮る回路が不要な新構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。... 従来、窒化ガリウムなど...
トランジスタのゲートで発生する漏れ(リーク)電流や電気特性のバラつきなどを金属材料により抑制し、電力消費を効率化した。... トランジスタ構造に採用したのは、大電流を流せる「高誘電率ゲ...
東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属ゲートと低誘電率のゲート絶縁膜を使う次世代LSI向け高性能トランジスタを開発した。....
