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記事検索結果
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【奨励賞/ナミックス‐低誘電率・低誘電正接薄膜フィルム「」ADFLEMA】 低誘電率、低誘電正接の薄膜樹脂フィルムで、電子機器などの基板材料や接着用フィルムとして使用する。低誘電率、...
大阪大学大学院工学研究科の中山喜萬教授らは、カーボンナノチューブ(CNT)の先端のみに、誘電泳動を用いてたんぱく質を付けることに成功した。... 半導体の導電率による誘電泳動によって、...
誘電率の低い材料を用いた配線技術なども新たに採用した。... トランジスタ構造に採用したのは、大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク電流の抑制効果がある「メタル...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属ゲートと低誘電率のゲート絶縁膜を使う次世代LSI向け高性能トランジスタを開発した。
《受賞部品》 (各賞とも応募受け付け順) 【部品大賞】 「微細超深穴加工用ドリル『エポックマイクロステップボーラー』」日立ツール 【モノづくり推進会議共...
開発手法は、基板に形成した約0・6ナノメートルのシリコン酸窒化膜に、低誘電率の膜厚0・55ナノメートルのハフニウム酸化物を堆積(たいせき)し、950度Cの高温で熱処理を行う工程を繰り返...
研究では磁石でもあり半導体でもある強磁性半導体「ヒ化ガリウムマンガン」の薄膜をガリウムヒ素基板上に作り、その上に高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層。
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、2013年以降に実用化する22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のL...
従来の低誘電率膜に比べ、約10%消費電力を下げられる。... MPS膜は分子サイズの穴が空いた多孔質膜で誘電率が2・5と低いため、消費電力が増大する要因となる配線の寄生容量を減らせる。... ...
バリアー絶縁膜材料は現在、誘電率約5・5のシリコン炭窒化膜が主流。... 開発した絶縁膜材料は誘電率が3・5以下に低減できる炭化シリコン。... バリアー絶縁膜の誘電率を下げ、配線間の容量を低減してこ...
シートはメッシュ層、誘電層、シールド層の3層構造になっている。電波を誘電層に封じ込め、メッシュ層から漏出する電波を極力抑えることで、通信範囲をシートの周辺1メートル以内にした。
これらの方法を用いるにあたって工夫されていることは、レーダーでは比誘電率の設定、電磁誘導では近接鉄筋の影響を補正することであり、これらの詳細は土木研究所のホームページに掲載されている。
