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さがみはら産業創造センター(SIC、神奈川県相模原市)は9日13時半からSICで、「総合経営相談会」を開く。... 問い合わせはSIC(042・770・9119)へ。&...
東京エレクトロンは2010年から炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル成長膜製造装置を事業化。... SiCウエハー上に結晶膜を堆積(たいせき)成長させる化学気相成長...
新日本製鉄の藤本辰雄氏が「SiC単結晶基板の最近の開発動向」、日本結晶光学の山崎貴史氏が「CaF2結晶の最近の進展」、信光社の福士大吾氏が「サファイアに関する動向」、JFEミネラルの永田俊郎氏が「昇華...
シリコンに次ぐ次世代の半導体材料として期待される炭化シリコン(SiC)などの材料はいずれも1600―2300度Cの高温処理が必要だが、国内では製造装置産業が未成熟。
従来のSiC半導体による試作インバーターでは電力損失の7割低減を確認していた。... 同社では2010年度にSiCインバーターを商用化する方針を打ち出している。... SiCはシリコンに比べて絶縁破壊...
(敬称略) ▽所在地=大阪市東淀川区東中島1の17の26、06・6320・4199▽社長=杉本浩氏▽資本金=9500万円▽売上高=6億...
炭化ケイ素(SiC)を材料とする電力制御用の省エネ半導体開発が活発化している。... デンソーは2年内にも直径6インチSiC基板を開発する。... トヨタ自動車、豊田中央研究所と共同で...
【電界強度は10倍】 中でも自動車メーカーが期待を寄せるのがSiCと呼ばれるシリコンに代わる新素材。... SiCパワー半導体モジュールで世界初投入を目指すのがローム。... シリコンウエハー...
一方、ロームは来夏をめどに、産業用途向けのSiCパワー半導体を用いたモジュールの性能評価を終える方針。... ロームは今年、SiC基板メーカーで独シーメンス系のSiクリスタルを買収した。SiC基板は米...
【京都】ロームと京都大学大学院工学研究科木本恒暢教授は7日、炭化ケイ素(SiC)製トランジスタ「トレンチゲート縦型MOSFET」の大容量化に成功したと発表した。... SiC素製半導体...
東工大の小長井誠教授はシリコンと炭化ケイ素(SiC)の粒子を組み合わせ、シリコンが秘める新たな材料の可能性を追求している。
日立国際電気は炭化ケイ素(SiC)半導体製造用の縦型バッチ式超高温アニール装置を開発、2010年から出荷する。... SiC半導体用は一段の高温処理が要求され、難易度が高いことから競合...
既に手がけている炭素繊維強化プラスチックのほか、シリコン(ケイ素)に比べて高耐圧性・長寿命のSiC加工を育てる。... SiCは硬度は高いものの、割れや欠けが発生しやすい。... Si...
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、炭化ケイ素(SiC)素子などを開発する「次世代パワーエレクトロニクス技術開発プロジェクト」の委託先を、次世代パワーエレ...
さがみはら産業創造センター(SIC、神奈川県相模原市、042・770・9119)は、28日から2010年1月27日にかけて全9回のコースで「職場リーダー養成塾」を開く。... 日程など...
例えばシリコンに比べ電力損失が少ないシリコン炭化ケイ素(SiC)デバイスを2010年から量産する予定で、車載など幅広い用途での開発を進める。
ダイオードで実用化した炭化ケイ素(SiC)の技術も優れている」 ―独インフィニオンが自動車部品世界最大手の独ボッシュとパワー半導体事業で提携しました。
