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開発したのは、300ナノメートルという極薄のポストシリコン材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素層を使用。

東北大学の流体科学研究所の寒川誠二教授らは、高密度で欠陥のないガリウムヒ素によるナノメートル(ナノは10億分の1)サイズの半導体である量子ドットを開発し、直接発光することを確認した。

開発したのは電界効果トランジスタ(FET)で、インジウム・ガリウムヒ素(InGaAs)による複数の半導体ナノワイヤ(ナノは10億分の1)を垂直に立て、そ...

今回は量子井戸をアルミニウムガリウムヒ素・ガリウムヒ素で構成したが、これを変えることで短波長領域側で狭帯域化できる可能性があるという。

富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、世界初の窒化ガリウムによる送受信ワンチップICを開発した。... 従来のシリコンやガリウムヒ素という半導体材料に...

一方で、最先端のガリウムヒ素ウエハーと半導体技術を使い、結晶成長からウエハーに作り込む試作開発を担う。

物質・材料研究機構の先端フォトニクス材料ユニットの間野高明主任研究員らの研究グループは、ガリウムヒ素の半導体微粒子(量子ドット)を1平方センチメートル当たり7300億個という高密度に形...

化合物太陽電池セルはインジウム、ガリウムなど2種類以上の元素からなる化合物を材料とした光吸収層を持つ。開発したセルの基本構造はインジウムガリウムヒ素をボトム層とする三つの光吸収層を積み上げる独自技術。

ガリウムヒ素基板の量子ドット太陽電池と比べ、重さは10分の1になった。 作り方は、まずガリウムヒ素の基板上に、量子ドット構造を含む発電層を形成。これを反転して200度Cでプラスチック...

強いスピンの相互作用を持つインジウム・ガリウム・ヒ素半導体を使って、スピンの干渉効果の観測に適した構造を複数作製した。

インジウム・リン半導体薄膜に周期的な空孔を作ったフォトニック結晶中にインジウム・ガリウム・ヒ素・リンを局所的に埋め込んだ光ナノ共振器を使り、光メモリーを構成した。

今回、ガリウム・ヒ素の半導体試料にテラヘルツ光を当て、それによって自由電子が大幅に増幅し、試料から発光することを確かめた。

開発したのはガリウム・ヒ素製の増幅器。

ガリウムヒ素基板の上にインジウムガリウムの下地層を設け、その上に0・8ナノメートル(ナノは10億分の1)と3分子程度の厚みのガリウムヒ素の極薄層を作った。

ガリウムヒ素半導体やインジウム・リン半導体などの検査に対応できる。

三菱電機は衛星通信基地局の電力増幅器向けに窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(写真、一目盛りは1ミリメートル)のサンプル出荷を2012年1月10日に始める。.....

電子を閉じこめられるナノメートルサイズ(ナノは10億分の1)の空間「量子ドット」を二つ、ガリウムヒ素製の半導体中に作り、それぞれに電子を一つずつ配置した。

電子の移動実験に作った試料は、ガリウムヒ素製の半導体中に3マイクロメートルの距離を開けて量子ドットを二つ作り、電子の通り道でつなげたもの。

同社はガリウム・ヒ素化合物などの無機材料向けに、膜を作りながら結晶構造を解析する装置を5年前に開発した。

同装置で物質から出る光電子の放出量と角度を測る技術を確立し、金属材料のタングステンと半導体材料のガリウムヒ素のバンド分散を測定できた。

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