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グリーンデバイス最前線/第1部・エコカー協奏と競争(6) （2009/10/27）

特にインバーターに搭載する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などパワー半導体技術は電機メーカーが最も強みを発揮できる分野。... 「一般部品の材料単価と比べたらIGBTの原価...

日本インター、HV・EV向けIGBTモジュールを来年度から量産（2009/9/9）

【厚木】日本インターはハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)のモーター駆動用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールを開発した。.....

インタビュー/三菱電機上席常務執行役・山西健一郎氏（2009/3/5）

「ハイブリッド車向けはほかの分野と比べて落ち込み幅は小さく、大電流を流せる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などが継続して出ている。

三菱電、新エネ分野向けパワーデバイス拡販（2009/2/25）

ハイブリッド車(HV)に加えて、09年度から太陽光発電や風力発電などのプラント向けにも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を投入する。... 発電のパワーコント...

特に、高耐圧が特徴の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に強みを持つ。... 当社は産業機械向けパワーデバイスとしてIGBTに強みがあるが、製造業が投資を抑制し始めた影響から、...

富士電機デバイス、半導体事業への設備投資を先送り（2008/11/11）

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産個数を07年末比45%増の月産80万個に増強。... 高耐圧が特徴のIGBTは産業用のほか、最近ではハイブリッド車向...

需要を読む(9)三菱電機上席常務執行役・山西健一郎氏（2008/10/6）

「ガソリンと電気を駆動源に併用するハイブリッド車向けに高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が伸びそうだ。

三菱電機、2010年度からSiCパワーモジュール量産（2008/9/17）

近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。... (9面に関連記事) 試作...

富士電機デバイステクノ、IGBTに大電流対応品を追加（2008/9/1）

富士電機デバイステクノロジーは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「U4シリーズ」に「ハイパワーモジュール」を追加した。

英・ウェールズ政府、外国の車産業の投資・誘致に力（2008/6/10）

とくに、ハイブリッド車のモーター制御に使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)では、日本を含め、複数企業と共同研究を行っている。

産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。... ...

NECエレ、フォトカプラーの内部構造見直し（2008/4/8）

NECエレクトロニクスは、入出力信号を電気的に絶縁するフォトカプラーのチップ寸法を従来比で2分の1に縮小した。金属端子からパッケージを伝った長さを表す沿面距離を8ミリメートルに保ちながら、パッケージ内...

サンケン電気は17日、プラズマテレビのパネル駆動回路用に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール「MGQ612」を25日からサンプル出荷すると発表した。IGBT、ダイオー...

富士電機デバイステクノロジーは電力用半導体(パワーデバイス)、中でも高耐圧が特徴の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に強みを持つ。... だが、金属酸化膜電界...